高周波デバイスHigh Frequency Devices

高出力・高効率・小型化を実現
高速・大容量な無線通信システムに最適

ニュースリリース

    トピックス

    展示会・イベント IMS 2024に高周波デバイスを出展！ 会期 展示会 6月18日（火） - 20日（木） 会場 USA・ワシントンDC ブース：1143
    新製品 出力電力16W、電力付加効率40%で32T32R massive MIMO基地局に最適！5G massive MIMO基地局用GaN電力増幅器モジュール
    新製品 出力電力8Wと14WのKa帯 GaN MMIC電力増幅器のチップ製品をラインアップ！Ka帯 衛星通信地球局用GaN MMIC電力増幅器
    新製品 3.6V駆動で出力電力6.5Wを実現！シリコンRF高出力MOSFET
    高周波デバイス&シリコンRFデバイスカタログ更新！

    製品情報

    GaN高周波デバイス

    GaNの適用で高効率・高出力を可能とし、衛星通信（SATCOM）、移動通信システム基地局などの高速・大容量通信システムの進化に貢献。

    シリコンRFデバイス

    1GHz以下の周波数帯域の移動無線通信機器の送信段電力増幅用に幅広く搭載され、低消費電力化・小型化に貢献。

    アプリケーション

    衛星通信システム（SATCOM）

    移動通信システム基地局

    各種無線機

    デザイン・サポート

    お知らせ

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