三菱電機技報

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三菱電機技報 2001年06月号
特集「新たな飛躍段階を迎えたパワーデバイス」
[巻頭言]スイッチング電源とパワー半導体デバイス
[巻頭論文]21世紀を迎えたパワーデバイスの展開
[特集論文]全14編

特集「新たな飛躍段階を迎えたパワーデバイス」

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巻頭言

スイッチング電源とパワー半導体デバイス新しいウィンドウが開きます

巻頭論文

21世紀を迎えたパワーデバイスの展開新しいウィンドウが開きます

特集論文
(全14編)

次世代IGBT(CSTBT)新しいウィンドウが開きます

高橋英樹/ 佐藤克己/ 友松佳史

1,200V NPTトレンチIGBT新しいウィンドウが開きます

中村勝光/ 楠  茂/ 中村秀城

高機能パワーIC─BiC-DMOS─新しいウィンドウが開きます

寺島知秀/ 畑迫健一/ 日根史郎

低オン抵抗第六世代低圧MOSFET新しいウィンドウが開きます

楢崎敦司/ 瓜生勝美/ 守谷純一

小容量モータ駆動用トランスファモールドIPM新しいウィンドウが開きます

岩崎光孝/ 岩上 徹/ 戸田 均

第四世代低損失IGBTモジュール“Fシリーズ”新しいウィンドウが開きます

山田順治/ 松岡 徹

S-DASHサーボIPM“CBシリーズ”新しいウィンドウが開きます

五十嵐 尚/ 船久保信昭

HEV用IPMの技術展開新しいウィンドウが開きます

深田雅一/ ゴーラブ・マジュムダール/ 前川博敏

4.5kV HVIGBTモジュールシリーズ新しいウィンドウが開きます

石井一史/ 近井 智/ 望月浩一

GCTサイリスタのシリーズ開発新しいウィンドウが開きます

徳能 太/ 倉地和博/ 山口義弘

パワーモジュールパッケージの技術動向新しいウィンドウが開きます

篠原利彰/ 桝田久雄/ 太田達雄

パワーデバイスの信頼性試験動向新しいウィンドウが開きます

内田 誠/ 井上和美

パワーモジュール高信頼性設計のための解析・シミュレーション技術新しいウィンドウが開きます

菊永敏之/ 大井健史/ 碓井 修

SiC-MOSFET素子技術新しいウィンドウが開きます

大塚健一/ 樽井陽一郎/ 今泉昌之


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