2003年09月号

特集「パワーデバイス技術の最前線」

三菱電機技報 2003年09月号

巻頭言
パワーデバイス特集号に寄せて
巻頭論文
未来社会を支えるパワーデバイス技術の進展
特集論文
全14編
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巻頭言

パワーデバイス特集号に寄せて

以下論文の要旨が御覧いただけます。

巻頭論文

未来社会を支えるパワーデバイス技術の進展

特集論文
(全14編)

新パワー素子の技術

湊 忠玄/ 高橋英樹/ 山下潤一/ 楢崎敦司

低駆動電力新トレンチIGBTモジュール“NFシリーズ”

田畑光晴/ 石村暢一/ 松岡 徹

新di/dt制御機能搭載低損失・低ノイズIPM“Lシリーズ”

五十嵐 尚/ 谷口信剛/ 井上貴公

大容量1,200V IGBTモジュール“900/1,400A Mega Power Dual”

山田順治/ 佐伯聖司

3Vマイコン駆動の新世代DIP-IPM

岩上 徹/ 末次英治/ 白川真也

大容量(30・50A/600V)DIP-IPMのパッケージ構造技術

川藤 寿/ 内田清宏/ 上田哲也/ 林 建一

新方式力率改善コンバータ“DIP-PFC”

岩崎光孝/ 瀬尾 護/ 天野勝之/ 孔 小明

ソフトリカバリーダイオード搭載1.7kV HVIGBTモジュール

森下和博/ 石澤慎一/ 井浦真一

6.5kV級IGBT

末川英介/ 石澤慎一/ 川口安人

マトリックスコンバータ用逆阻止IGBT

高橋英樹/ 金田 充/ 田畑光晴

微細構造適用600V系HVIC

楠 茂/ 清水和宏/ 守谷純一

パワーモジュールの長寿命化技術

菊池正雄/ 林 建一/ 吉原邦裕/ 高尾治雄/ 鶴迫浩一

2kV耐圧SiC-MOSFET技術

今泉昌之/ 樽井陽一郎/ 大塚健一

パワーモジュールの分布定数抽出と動特性解析

大井健史/ 碓井 修/ 中武 浩

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