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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2008年4月15日
半導体No.0809

大容量電力変換装置の出力向上に貢献する新開発の低損失パワー半導体モジュール

「HVIGBTモジュール Rシリーズ」発売のお知らせ

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 三菱電機株式会社(執行役社長:下村 節宏)は、鉄道・電力・工業分野の電力変換装置に用いられるパワー半導体モジュールの新シリーズとして、低電力損失で大容量かつ動作温度範囲の広い「HVIGBT※1モジュール Rシリーズ」を開発しました。その第一弾として耐電圧が3.3kV、定格電流が1500Aの製品を2008年6月から発売します。

※1:High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor
高耐電圧絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ

HVIGBTモジュール Rシリーズ

HVIGBTモジュール Rシリーズ

発売の概要

製品名 形 名 仕 様 サンプル価格
(税抜き)
発売時期
3.3kV
HVIGBTモジュール
Rシリーズ
CM1500HC-66R 3300V/1500A  1素子入 180,000円 6月

発売の狙い

 大電力を高速にスイッチングする当社のHVIGBTモジュールは、1997年に製品化して以来、高い信頼性が評価されて、主に鉄道の駆動用システムや工業用大型機器などの電力変換装置に広く採用されています。

 近年、省エネルギーの観点から高出力機器でもインバーターなどで電力を最適に制御する機器が増えており、これらの装置では、高い信頼性を確保しつつ、高効率化とさらなる高出力化が進められています。このような中、HVIGBTモジュールには、定格電流の大容量化や、高温下や寒冷地での使用など、厳しい動作環境への対応が求められています。

 当社はこれらの要求に応える低電力損失で大容量のHVIGBTモジュールとして、今回新たにRシリーズを開発しました。まず、第一弾として、業界最大の定格電流1500Aを実現した1素子入のHVIGBTモジュールを発売します。今後、チョッパータイプや高絶縁タイプ、4.5kVタイプや6.5kVタイプなどを順次販売し、従来機種のHシリーズ同様にラインアップを拡充します。

新製品の特長

1. 業界最大の定格電流1500Aを実現し、大容量電力変換装置の出力向上に貢献

Rシリーズは、新たに開発した電力損失の少ないIGBTとダイオードを搭載したパワー半導体モジュールです。第一弾として発売する製品は、3.3kV耐電圧クラスで業界最大の定格電流1500A(当社従来比※2 25%向上)を実現しました。これにより小型で大容量の電力変換装置を構成できます。

※2: CM1200HC-66H(Hシリーズ)。定格電流1200A

2. 動作温度範囲を-40〜+150℃に拡大

温度範囲特性に優れた絶縁封止材を材料メーカーと新規開発し、動作温度範囲の上限を従来の125℃から150℃に拡大しました。保存温度範囲も-55〜+150℃を実現しました。これにより高温下での使用や寒冷地向け製品に対応できます。

3. 従来品と完全互換で大容量化が容易に

今回発売する定格電流1500Aの製品は外形寸法が従来の1200A製品※2と同じです。主電極端子や補助電極端子の位置、取り付け穴位置は、従来品との互換性を完全に保っているほか、ゲート電荷特性も従来品と同等なので、駆動ドライバの設計変更を最小限に抑えつつ大容量化が図れます。

お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第一事業部 パワーデバイス営業部

TEL: (03)3218-3239 FAX: (03)3218-2723

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