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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2009年6月16日
半導体No.0909

新開発(第6世代)IGBT搭載で世界最小の電力損失を実現

IGBTモジュール NXシリーズ 新製品発売

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 三菱電機株式会社(執行役社長:下村 節宏)は、一般産業機器のインバーター駆動に用いられるパワー半導体モジュール「IGBT※1モジュール NXシリーズ」において、インバーター動作で世界最小※2の電力損失を実現した新製品を7月1日から発売します。

 まず、第一弾として耐圧1200V 定格電流150Aの6素子入りを発売し、今後、定格電流や素子構成の異なる製品を順次発売してラインアップ拡充を図ります。

※1: Insulated Gate Bipolar Transistor:(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)電力スイッチング半導体
※2: 30kWのインバーター動作においてシミュレーションした結果。fc=10kHz。2009年6月16日現在

IGBTモジュール NXシリーズ 新製品

IGBTモジュール NXシリーズ 新製品

発売の概要

製品名 形名 仕様 サンプル価格(税抜き) サンプル出荷時期
IGBTモジュール
NXシリーズ
CM150TX-24S 1200V/150A
6素子入り
25,000円 7月1日

発売の狙い

 近年、エネルギーを効率的に利用する観点から、機器の駆動・制御には、負荷状態に合わせて電源周波数を可変するインバーターが用いられており、インバーターの駆動に必要なIGBTやダイオードなどのパワー半導体を収めたIGBTモジュールの使用が拡大しています。
 IGBTモジュールは、インバーターの動作損失を左右することから、当社はこれまで低損失化にむけた改善に取り組み、ウエハに深く溝を掘ったトレンチ構造にキャリア蓄積層を設けたCSTBTTM※3を開発し、業界トップクラスの性能を誇るIGBTモジュールを展開してきました。
 当社は今回、CSTBTTMのセル構造の最適化などにより、世界最小の電力損失を実現したIGBTモジュールの新製品を発売します。
※3: Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor:キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT

新製品の特長

1. 新開発のIGBTとダイオード搭載により、世界最高の低損失を実現
今回、CSTBTTMのセル構造を改善させ、安全動作領域を確保しつつオン抵抗を低減させたIGBTと、オン電圧を小さくしたダイオードを開発し、新製品のIGBTモジュールに搭載しました。これにより、インバーター動作における電力損失を従来品※4に比べて、約20%低減※2できます。例えば、1200V 150AのIGBTモジュールで対応可能な30kWのインバーターでは損失が約200Wから約160Wに減ります。
※4: CM150DX-24A(1200V/150A、2素子入り)
2. 取り付け寸法を統一・選択可能な端子により、インバーター設計の省力化に貢献
NXシリーズとして、取り付け面の寸法を統一している他、ピン端子・ネジ端子(電極)・金属ブッシュなどの形状も統一しているので配置や組み合わせをカスタマイズでき、ネジ止め、ハンダ付けなどの接続方法を柔軟に選択できます。従って、従来品(第5世代品)と互換性を確保しています。これにより、インバーター設計の省力化に貢献します。
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第一事業部 パワーデバイス営業部

TEL: (03)3218-3239 FAX: (03)3218-2723

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