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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2009年6月30日
半導体No.0910

−20〜95℃の動作温度範囲と低消費電力を実現

10Gbps用1.3μm帯レセプタクル型DFB半導体レーザーモジュールを発売

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 三菱電機株式会社(執行役社長:下村 節宏)は、動作温度範囲が−20〜95℃と広く、駆動電流を25mAに低減した小型の1.3μm帯レセプタクル型DFB※1半導体レーザーモジュール(TOSA※2)を7月1日から発売します。10ギガビット毎秒(Gbps※3)の光送受信器規格(XFP※4、SFP+※5)と光デバイス規格(XMD‐MSA※6)に準拠しています。

※1: DFB(Distributed Feed-Back)

分布帰還型の意。回折格子の原理で光波を干渉させ、特定の方向、波長でのみ光信号を取り出す構造。

※2: TOSA(Transmitter Optical Sub Assembly)

送信用小型光デバイス。

※3: Gbps

1秒間に10億個のデジタル符号を伝送できる通信レートの単位。

※4: XFP(10 Gigabit Small Form Factor Pluggable Module)

SONET、SDH、イーサーネット、ファイバーチャンネルなどの伝送規格を同じ形態で実現することを目的とした10Gbps用高性能小型光送受信器、またはその標準規格。

外形寸法はW22.15×D77.9×H13.3 [mm]。

※5: SFP+ (Enhanced 8.5 and 10 Gigabit Small Form Factor Pluggable Module)

イーサーネット、ファイバーチャンネルなどのデータ伝送規格を同じ形態で実現することを目的とした8.5Gbps, 10Gbps用高性能小型光送受信器、またはその規格で、XFPより、より小型で低消費電力である。

外形寸法はW14×D57×H14 [mm]。

※6: XMD-MSA (10Gbps Miniature Device Multi-Source Agreement)

光送受信機に搭載する小型光デバイスの機械的、電気的なインターフェースを統一した業界標準規格。

10Gbps用1.3μm帯レセプタクル型DFB半導体レーザーモジュール

10Gbps用1.3μm帯レセプタクル型
DFB半導体レーザーモジュール

発売の概要

製品名 形名 サンプル価格(税抜き) サンプル出荷時期
  10Gbps レセプタクル型DFB
半導体レーザーモジュール(TOSA)
FU-456RDF-9M2 20,000円 7月1日

発売の狙い

 ADSL※7やFTTH※8など高速大容量通信サービスの一般家庭への普及に伴い、メトロエリア※9における光ファイバー通信網の拡充が進んでいます。また、音楽や映像などのデジタルコンテンツ配信、企業の大容量データベースなどでも、データを格納するストレージ※10とサーバーを結ぶ専用の光ファイバーネットワークSAN※11の需要が拡大しています。
 これらに用いる光送受信器の機械的、電気的なインターフェースには、10Gbps光送受信器の代表的な規格であるXFPやSFP+などが適用され、光デバイスの機械的、電気的なインターフェースには業界標準規格XMD‐MSAが適用されます。光送受信器の実装数が多くなってきた昨今では、放熱の観点から、消費電力の大半を占める半導体レーザーモジュールに、より広い動作温度範囲と低消費電力化が求められています。
 当社は今回、XFP、SFP+、XMD‐MSAに準拠しつつ、動作温度範囲が広く、低消費電力の10Gbps用レセプタクル型DFB半導体レーザーモジュールを製品化しました。
※7: ADSL(Asymmetric Digital Subscriber Line)
既存の電話回線を使ったデジタル伝送方式の一つ。
※8: FTTH (Fiber To The Home)
家庭まで接続された光ファイバー網。
※9: メトロエリア
幹線系と加入者系を結ぶ区間の呼称。メトロポリタンエリアの略。
※10: ストレージ
ハードディスクやテープ・ライブラリなどの記憶装置。
※11: SAN (Storage Area Network)
コンピューターと外部記憶装置あるいは外部記憶装置間を結ぶ高速ネットワーク。

新製品の特長

1. XMD-MSA準拠の小型パッケージで、95℃動作を実現し放熱設計が容易に
新開発の高性能DFB半導体レーザーの採用により、XMD-MSA準拠の小型パッケージと機械的、電気的インターフェースを維持したままで、動作温度範囲を従来※12の−5〜85℃から、−20〜95℃へと拡大しました。これにより送受信器の高密度実装に対する放熱設計が容易になります。
※12: FU-456RDF-8M2
2. 駆動電流を25mAに低減し、ネットワークの低消費電力化に貢献
一般的に、半導体レーザーで10Gbpsの高速通信に適した応答を得るためには、大きな駆動電流を必要とすることから、光送受信器の低消費電力化には半導体レーザーの駆動電流低減が課題となっていました。新開発の高性能DFB半導体レーザーは、常温25℃での駆動電流を従来※12の35mAから25mAにまで低減しました。これにより、光送受信器としての消費電力は従来の半導体モジュールを使った場合に比べ約60%ですみ、ネットワークの低消費電力化に貢献します。

今後の展開

 今後さらなる高性能化、高出力化を目指した開発を行い、製品ラインアップを拡充していきます。
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業部第一部

TEL: (03)3218-3331 FAX: (03)3218-4862

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