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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2009年6月30日
半導体No.0910

−20〜95℃の動作温度範囲と低消費電力を実現

10Gbps用1.3μm帯レセプタクル型DFB半導体レーザーモジュールを発売

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