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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2010年2月25日
半導体1004

GaNを採用し100Wの高出力を実現

衛星搭載用「C帯GaN HEMT高出力増幅器」を開発

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三菱電機株式会社(執行役社長:下村 節宏)は、衛星搭載用の「C帯GaN※1 HEMT※2高出力増幅器」として、出力が2Wから100Wまでの計4機種を開発しました。

  • ※1:Gallium Nitride:窒化ガリウム
  • ※2:High Electron Mobility Transistor:高電子移動度トランジスタ

発売の概要

名称 形名 概要
GaN HEMT
内部整合※3
高出力増幅器
MGFC50G3742S f=3.7〜4.2GHzを3分割したうちの1帯域
出力電力:50dBm(100W)、電力付加効率:60%
MGFC46G3742S f=3.7〜4.2GHzを3分割したうちの1帯域
出力電力:46dBm(40W)、電力付加効率:60%
MGFC43G3742S f=3.7〜4.2GHz
出力電力:43dBm(20W)、電力付加効率:60%
GaN HEMT
高出力増幅器
MGF2633GS f=4.0GHz
出力電力:33dBm(2W)、電力付加効率:50%
  • ※3:入力と出力のインピーダンスを整合する回路を内蔵

発売の狙い

近年、寿命到来による通信衛星の更新需要が増加しています。通信衛星に搭載する送信機には、これまでガリウム砒素(GaAs)を用いた増幅器が用いられてきましたが、新たに打ち上げる衛星には、GaAsよりも高い飽和電子速度と絶縁破壊耐圧を持ち、効率(電力付加効率)が良く、送信機の小型・軽量化や省電力・長寿命化が図れるGaNを用いた HEMT増幅器が期待されています。

当社は今回、C帯の衛星通信に用いる出力が2Wから100Wの「GaN HEMT高出力増幅器」4機種を開発しました。


新製品の特長

  1. GaN HEMTで100Wの高出力を実現(MGFC50G3742S)

    これまで、GaAsで100Wクラスの出力を得るには、最終段に出力25W程度の増幅器を並列合成していました。今回開発したGaN HEMT高出力増幅器MGFC50G3742Sは、外形寸法が25W出力のGaAs増幅器と同じであるにもかかわらず、出力100Wの最終段を1つで構成でき、電力付加効率も60%と高効率です。

    今回、回路の中段や初段にも使用できる出力40W、20W、2WのGaNHEMT増幅器もあわせて開発しており、通信衛星搭載用送信機の小型・軽量化と省電力化に貢献します。

  2. 衛星搭載用として高信頼度を確保

    10年程度使われる衛星の寿命や過酷な宇宙環境で用いることを考慮して開発しています。チップ温度175℃、動作電圧45Vにおいて、寿命100万時間の高信頼性を確保しています。

今後の展開

3月からサンプルの供給を世界で初めて※4開始し、お客様ごとのご要求に対応していきます。

  • ※4:2010年2月25日時点 当社調べ、衛星搭載用GaN HEMT高出力増幅器において
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業部第一部

TEL: (03)3218-3331 FAX: (03)3218-4862

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