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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2010年3月30日
半導体1007

低損失なインテリジェントパワーモジュールを加え、ラインアップを拡充

「大容量IPM V1シリーズ」発売のお知らせ

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三菱電機株式会社(執行役社長:下村 節宏)は、一般産業機器のモーターを駆動・制御するインバーター向けインテリジェントパワーモジュール(IPM)※1に「大容量IPM V1シリーズ」を追加し、5月下旬に発売します。

  • ※1:Intelligent Power Module:IGBTを使用したパワーチップとその駆動回路、および各種保護回路を1つのパッケージに収めた電力用半導体モジュール

発売の概要

製品名 形名 仕様 サンプル価格
(税抜き)
サンプル
出荷時期
大容量IPM
V1シリーズ
PM400DV1A060 400A/600V 2素子入り 18,000円 5月下旬
PM600DV1A060 600A/600V 2素子入り 27,000円
PM200DV1A120 200A/1200V 2素子入り 18,000円
PM300DV1A120 300A/1200V 2素子入り 27,000円
PM450DV1A120 450A/1200V 2素子入り 40,500円

発売の狙い

近年、エネルギーを効率的に利用する観点から、一般産業機器のモーター駆動・制御には、負荷状態に合わせて電源周波数を可変するインバーターが多く用いられています。インバーターの出力段には、電流を高速にスイッチングするパワー半導体モジュールとして駆動回路、保護回路を内蔵したIPMが広く使用されており、IPMのさらなる低損失化、大容量化、小型化が求められています。

当社は1998年から一般産業機器用の2素子入りのIPMとしてVシリーズを発売していますが、今回、37kW以上のインバーターや15kW以上のサーボなど大容量モーターの駆動・制御用に、低損失で小型のV1シリーズを発売し、ラインアップを拡充します。


新製品の特長

  1. インバーターの損失を20%低減

    スイッチング素子のIGBTには、低損失なCSTBT™※2を使用しているので、インバーターの電力損失を従来品※3に比べて、約20%低減できます。

    • ※2:Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor:キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT
    • ※3:当社製「VシリーズIPM」PM300DVA120と「大容量IPM V1シリーズ」PM300DV1A120との比較
  2. 装置の小型化に貢献

    大容量V1シリーズの外形寸法は、従来のVシリーズの小型パッケージ(120×70mm)と同じで、電極・取り付け穴などの位置も同じなので、置き換えが容易です。また、耐圧1200Vで定格電流450Aの大容量品も同じ小型パッケージでラインアップしていますので、装置の小型化に貢献します。

  3. 保護機能を向上

    チップ個々の温度をモニターしているので、ケースの温度をモニターするVシリーズと比較して過熱保護機能が向上しています。

環境への配慮

EU加盟国で2006年7月以降に販売される電気電子機器に対し、特定有害6物質の含有を規制するRoHS※4指令に適合しています。

  • ※4:Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第一事業部 パワーデバイス営業部

TEL: (03)3218-3239 FAX: (03)3218-2723

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