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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2010年7月22日
半導体No.1013

小型パッケージで40Wの高出力

L帯〜C帯増幅器用「GaN HEMT」発売

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  三菱電機株式会社は、携帯電話基地局や衛星通信地球局などの送信用電力増幅器向けに、L帯からC帯(0.5GHz〜6GHz)※1まで使用可能な「GaN※2 HEMT※3」3機種(出力10W・20W・40W)のサンプル出荷を8月1日に開始します。

※1:L帯:0.5GHz〜2GHz、S帯:2 GHz〜4GHz、C帯:4 GHz〜8GHzの内6GHzまで
※2:Gallium Nitride 窒化ガリウム
※3:High Electron Mobility Transistor 高電子移動度トランジスター

新製品の特長

1. 高出力・高効率・高電圧動作のGaN HEMT
・ 0.5GHzから6GHzまで使用可能な出力10W・20W・40Wをラインアップ
・ 高効率で、46%以上の電力付加効率を実現
・ 47Vの高電圧動作が可能
2. 4.4 mm×14.0 mmの小型パッケージ
・ 4.4 mm×14.0 mmの小型パッケージで実装面積を削減可能

発売の概要

製品名 形名 概要 サンプル価格
(税抜き)
サンプル出荷開始日
出力電力 電力付加効率
GaN HEMT MGF0846G 46dBm(40W) 46% 20,000円 8月1日
MGF0843G 43dBm(20W) 48% 15,000円
MGF0840G 40dBm(10W) 50% 10,000円
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第ニ部

TEL: (03)3218-4880 FAX: (03)3218-4862

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