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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2010年12月9日
半導体No.1019

低雑音増幅器の後段用に高利得仕様と高出力仕様の高効率増幅素子をラインアップ

衛星デジタルラジオ用「InGaP HBT」発売のお知らせ

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 三菱電機株式会社は、衛星デジタルラジオ放送受信システムの低雑音増幅器に用いる増幅素子として4PINフルモールドパッケージの「InGaP HBT※1」2機種を2011年2月7日に発売します。L帯からC帯(0.5GHz〜6GHz)※2までの増幅器に使用できます。

※1: Indium Gallium Phosphide Heterojunction Bipolar Transistor
インジウム・ガリウム・リンを用いたヘテロ接合バイポーラトランジスター。高効率動作に優れる
※2:L帯:0.5GHz〜2GHz、S帯:2GHz〜4GHz、C帯:4GHz〜8GHzの内6GHzまで

新製品の特長

1. 高利得仕様と高出力仕様の高効率増幅素子をラインアップ
・ 高利得仕様のMGF3021AMと高出力仕様のMGF3022AMをラインアップ
・ コレクタ効率はMGF3021AMが32%、MGF3022AM が44%といずれも高効率※3
・ 単一電源で使用可能。低雑音増幅器の後段用に最適
※3: 1dB利得圧縮点電力(P1dB)において
2. 業界標準の4PINフルモールドパッケージを採用
・ 業界標準の4PINフルモールドパッケージを採用
・ 基板内のフットパターン※4を統一可能
※4: 配線基板に部品の電極をはんだ付けするための導体パターン

発売の概要

製品名 形名 概要 サンプル価格
(税抜き)
発売日 月産数
InGaP HBT MGF3021AM 高利得仕様
Glp:22dB
P1dB:11.0dBm
(f=2.4GHz)
150円 2011年
2月7日
5万個
MGF3022AM 高出力仕様
Glp:18dB
P1dB:16.5dBm
(f=2.4GHz)
200円 5万個
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第ニ部

TEL: (03)3218-4880 FAX: (03)3218-4862

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