ニュースリリース

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2011年1月20日
開発No.1101

従来のSiデバイスに比べ損失を半減

SiCを用いたパワーコンディショナで国内業界最高の電力変換効率98.0%を実証

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 三菱電機株式会社は、次世代パワー半導体材料として期待されているSiC※1(炭化ケイ素)デバイスを適用した定格1200V/75Aのパワーモジュールを試作開発し、出力5kWの太陽光発電システム向けパワーコンディショナで国内最高※2の電力変換効率98.0%を実証しました。

※1: SiC(Silicon Carbide):炭素とケイ素が1対1の化合物
※2: 国内向けのパワーコンディショナにおいて。2011年1月現在、当社調べ

主な開発成果

1. SiCデバイスを用いたパワーコンディショナで電力変換効率98.0%を実証
・ SiCデバイスのパワーモジュールを太陽光発電システム向けパワーコンディショナに搭載
・ 単相200V/5kWのパワーコンディショナで国内最高の電力変換効率98.0%を実証
2. SiCデバイスを適用した1200V/75Aのパワーモジュールで電力損失を半減
・ SiCのMOSFET※3とSBD※4を適用した定格1200V/75Aのパワーモジュールを開発
・ Si(シリコン)デバイスのパワーモジュールに比べ、5kW定格出力時の電力損失を半減※5
※3: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半導体電界効果トランジスター
※4: Schottky Barrier Diode:半導体と金属の接合部に生じるショットキー障壁を利用したダイオード
※5: 当社製パワーコンディショナ(PV-PN50G1)との比較

今後の展開

パワーコンディショナを構成する他の回路部品の損失低減を含め、さらなる損失低減と小型化を進め、高効率で小形なパワーコンディショナを早期に製品化して、低炭素社会の実現に貢献していきます。

特許

国内103件、海外35件 出願済

 本開発成果の一部は、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO技術開発機構)の委託研究として実施したものです。
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所 業務部 広報・宣伝グループ

FAX: (06)6497-7289

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