ニュースリリース

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2011年2月16日
開発No.1105

電流センス機能搭載SiC-MOSFETを使用

駆動回路と保護回路を内蔵したフルSiC-IPMを世界で初めて開発

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 三菱電機株式会社は、パワー半導体素子をすべてSiC※1(炭化ケイ素)で構成し、駆動回路と保護回路まで内蔵した「フルSiC-IPM※2」を世界で初めて開発しました。Si(シリコン)のIPMに比べ、インバーター損失を約70%低減し、モジュールの体積も半減しました。

※1  Silicon Carbide:炭素とケイ素が1:1の化合物
※2  Intelligent Power Module:駆動回路、保護回路を内蔵した高機能パワー半導体モジュール

主な開発成果

1. 世界で初めて駆動回路と保護回路まで内蔵したフルSiC-IPMを開発
・ パワー半導体素子をすべてSiCで構成し、駆動回路と保護回路まで内蔵したフルSiC-IPM
・ パワー半導体素子がSiのIPMに比べ、インバーター損失を約70%低減※3
・ 120×85×30mmと、SiのIPMに比べ体積を半減※3
※3 当社製「PM300CLA120」(172mm×150mm×24mm)との比較において
2. 世界で初めての電流センス機能搭載SiC-MOSFET
・ IPMの保護回路に必要な電流センス機能を世界で初めてSiC-MOSFET※4に搭載
・ IPMとIPM搭載機器を短絡時の過電流から保護
※4 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半導体電界効果トランジスター

今後の展開

 SiC-IPMの製品化と、SiC-IPMを使用した一般産業用機器、昇降機、太陽光発電用パワーコンディショナなど各種機器の実用化を目指します。

特許

 国内 98件、海外 32件 出願済

 本研究の一部は、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の委託を受けて実施しました。

お問い合わせ先
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所 業務部 広報・宣伝グループ

FAX: (06)6497-7289

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