ニュースリリース

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2011年11月29日
半導体No.1119

衛星通信のC帯で業界最高の出力100Wを実現

「衛星通信用C帯100W GaN HEMT」発売のお知らせ

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 三菱電機株式会社は、C帯※1衛星通信の地球局※2に使用される電力増幅器用「GaN※3 HEMT※4」の新製品として、業界最高出力※5の100Wおよび出力50Wの2機種のサンプル出荷を2012年1月10日に開始します。

※1: 周波数4 GHz〜8GHzのマイクロ波
※2: 衛星通信で地上に設置された基地局
※3: Gallium Nitride:窒化ガリウム
※4: High Electron Mobility Transistor:高電子移動度トランジスタ
※5: 2011年11月29日時点 当社調べ。衛星通信地球局用GaN HEMTにおいて

GaN HEMT 左:MGFC50G5867  右:MGFC47G5867

GaN HEMT
左:MGFC50G5867 右:MGFC47G5867

新製品の特長

1. 高出力・高効率で電力増幅器の小型化に貢献
耐圧性に優れたGaNを採用し40Vの高電圧の動作を実現
出力電力100W(MGFC50G5867)および50W(MGFC47G5867)の高出力を実現
電力付加効率※6 43%以上の高効率を実現
※6: 供給された電力が出力信号に変換される効率。数値が高いほど効率が優れる。
2. 低ひずみ特性で高い信号品質に貢献
出力電力40W(46dBm)時のIM※7が−25dBcと低ひずみ特性を実現(MGFC50G5867)
※7: Inter Modulation:増幅器に2つの信号を同時入力した際に発生するひずみ。数値が低いほど高性能。

※8: Heterostructure Field Effect Transistor:ヘテロ構造電界効果トランジスタ

発売の概要

製品名 形名 概要 サンプル価格
(税抜き)
サンプル
出荷開始日
出力電力 利得
GaN HEMT MGFC50G5867 50dBm(100W) 10dB 60,000円 2012年
1月10日
MGFC47G5867 47dBm(50W) 10dB 30,000円
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第ニ部

TEL: (03)3218-4880 FAX: (03)3218-4862

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