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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2012年6月20日
開発No.1205

世界最高の電力変換効率を実現

シリコン基板上の高出力・高効率GaN増幅器を開発

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 三菱電機株式会社は、携帯電話に使用される2GHz帯のシリコン基板上の高出力・高効率GaN※1増幅器を開発しましたのでお知らせします。大出力増幅器として世界最高※2の電力変換効率70%を実現しました。
 今回の開発により携帯電話基地局の小型・低消費電力化が可能となり、限られたスペースへの携帯電話基地局の設置や、設置工事の施工性の向上に貢献します。

  • ※1:Gallium Nitride:窒化ガリウム
  • ※2:2012年6月時点 当社調べ。出力150Wを超える2GHz帯増幅器において

高出力・高効率GaN増幅器

高出力・高効率GaN増幅器

開発の特徴

  1. 世界最高の電力変換効率70%を実現

    • Si基板とGaN層の間に緩衝層を設け、GaNの結晶品質を改善したことで、トランジスタの性能を向上
    • 増幅器回路の最適化により出力電力170Wと、従来※3比12ポイント改善した電力変換効率70%を実現

    • ※3:Siトランジスタを用いて製品化されている出力150Wを超える2GHz帯増幅器のカタログ掲載値。
      2012年6月時点 当社調べ。

  2. 携帯電話基地局の設置性向上に貢献

    • 低消費電力化に加えて放熱機構の簡易化が可能となり、携帯電話基地局の小型化に貢献
    • 小型化により限られたスペースへの設置や設置工事の施工性の向上に貢献

開発の概要

  周波数 出力電力 電力変換効率 大きさ
開発品(今回) 2.14GHz 170W 70% 23mm×10mm×4mm
従来※3 2.17GHz 150W 58% 21mm×10mm×4mm

今後の予定

さらなる高出力化・高効率化開発を継続し、2013年度内の製品化を目指します。

お問い合わせ先
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所 業務部

FAX: (0467)41-2142

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