ニュースリリース

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2013年2月18日
半導体No.1302

冷蔵庫などの低消費電力化・小型化・コスト低減に貢献

三菱電機MOSFET搭載超小型DIPIPM発売のお知らせ

印刷用ページへ

 三菱電機株式会社は、低電流での動作の比率が高い冷蔵庫などの小容量モーターをインバーター駆動するパワー半導体モジュールの新製品として、スイッチング素子に低電流領域のオン電圧が小さいMOSFET※1を採用したトランスファーモールド※2タイプの「超小型DIPIPM※3」を3月1日に発売します。

  • ※1:Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスター
  • ※2:加熱加圧した樹脂を閉鎖された金型に注入し加圧成形する方法。量産性と信頼性に優れる。
  • ※3:Dual-In-Line Package Intelligent Power Module:保護機能付き制御素子を内蔵したインテリジェントパワー半導体モジュール

MOSFET搭載超小型DIPIPM

MOSFET搭載超小型DIPIPM

新製品の特長

  1. 小容量インバーターの低消費電力化に貢献
    • スイッチング素子にMOSFETを採用し、低電流領域のオン電圧を従来比約60%低減※4
    • MOSFETの製造プロセス最適化によりリカバリー損失を低減
    • 回路最適化により制御ICの消費電力を低減
    • ※4:0.5A、25℃での当社超小型DIPIPM「PS219B2」との比較
  2. 高放熱構造により高い信頼性を確保
    • スイッチング素子の低損失化と放熱性の高い絶縁シート構造の採用により、温度上昇を抑制
  3. 最終製品の小型化・コスト低減に貢献
    • 高放熱構造により、最終製品の放熱対策を軽減
    • 電流制限抵抗付きBSD※5を内蔵し、外付けの部品数を削減可能
    • ※5:Bootstrap Diode:基準電圧から他の電圧を作り出すブートストラップ回路用の高耐圧用ダイオード

発売の概要

製品名 形名 仕様 サンプル価格
(税抜き)
発売開始時期
MOSFET搭載
超小型DIPIPM
PSM03S93E5/-A/-C 3A/500V 420円 3月1日
PSM05S93E5/-A/-C 5A/500V 520円
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第一事業部 パワーデバイス営業部

TEL: (03)3218-3239 FAX: (03)3218-2723

PDF形式のデータをご覧いただくには、アドビシステムズ社のAcrobat Reader(無料配布)が必要です。導入されていない方は左のアイコンをクリックして、Adobe Systemsのホームページからダウンロードしてください。なお、ダウンロード及びインストールに関するお問い合わせは、アドビシステムズまでお願いいたします。

文字サイズ変更