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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2013年5月13日
半導体No.1310

EV・HEV向け新小型パッケージパワーモジュール

自動車用パワー半導体モジュール「J1シリーズ」サンプル提供開始

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 三菱電機株式会社は、電気自動車(EV)やハイブリッド車(HEV)用モーターのインバーター駆動に用いる自動車用パワー半導体モジュールの新シリーズとしてIGBTを6素子搭載した「J1シリーズ」2品種のサンプル提供を9月30日に開始します。

 なお、本製品は「PCIM※1 Europe 2013」(5月14〜16日、於:ドイツ連邦共和国・ニュルンベルグ)に出展します。

  • ※1:PCIM:Power Conversion Intelligent Motion

J1シリーズ(表面) 写真は開発中のものです。

J1シリーズ(表面) ※写真は開発中のものです。

J1シリーズ(裏面) 写真は開発中のものです。

J1シリーズ(裏面) ※写真は開発中のものです。

新製品の特長

  1. 6in1化により、自動車用インバーターの小型化に貢献
    • 6in1化により、従来の2in1製品を3台使用した場合に比べて実装床面積(117.0×113.0mm)で約80%に縮小し※2、インバーターの小型化に貢献
    • ※2:Jシリーズ T-PM※3(2in1タイプ)「CT600DJH060」(縦64.0×横84.0mm)3台を間隔2mmで実装した場合との比較
    • ※3:Transfer molded-Power Module:トランスファーモールド型パワー半導体モジュール
  2. 自動車用インバーターの低消費電力化と高信頼性に寄与
    • CSTBTTM ※4構造を採用した第6世代IGBTの搭載により、コレクタ・エミッタ間飽和電圧を当社従来製品※5より約15%低減し、低消費電力化に貢献
    • 冷却フィン一体の直接水冷構造により、当社従来製品より放熱特性を40%向上※6し、自動車用インバーターの小型化・高信頼化に寄与
    • ※4:Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor:キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT
    • ※5:Jシリーズ T-PM(2in1タイプ)「CT600DJH060」との比較
    • ※6:Jシリーズ T-PM(2in1タイプ)「CT600DJH060」を放熱グリスを介してAlフィンに取り付けた場合とのチップ−冷却水間の熱抵抗比較

サンプル提供の概要

製品名 形名 概要 サンプル価格
(税抜き)
サンプル
提供開始日
J1シリーズ CT600CJ1A060 650V/600A,6in1 65,000円 9月30日
CT400CJ1A090 900V/400A,6in1
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第一事業部 パワーデバイス営業部

TEL: (03)3218-3239 FAX: (03)3218-2723

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