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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2014年3月6日
半導体No.1402

パワー半導体の新技術・新製品開発を加速

三菱電機 パワーデバイス製作所「設計技術棟」稼働開始のお知らせ

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 三菱電機株式会社は、パワーデバイス製作所(福岡県福岡市)内に新たに建設していた設計技術棟が、3月10日から稼働しますのでお知らせします。これにより、需要が拡大・多様化するパワー半導体の新技術・新製品開発を加速します。

設計技術棟 外観写真

設計技術棟 外観写真

設計技術棟の概要

名称 パワーデバイス イノベーション センター
所在地 福岡県福岡市西区今宿東一丁目1番1号(パワーデバイス製作所内)
建築面積 約1,900 ㎡(延床面積 約11,000 ㎡)
構造 鉄骨(S)造、地上6階建
投資総額 約25億円

設計技術棟の特長

 設計技術棟は、断熱性向上による空調負荷軽減・人感照度センサー付きLED照明・自然採光・自然換気など、さまざまな環境へ配慮を施しています。その他にもエネルギー消費を制御管理する当社製システムとして「Facima」も導入しています。これらの高い環境性能が認められ、福岡市建築物環境配慮制度のCASBEE※1福岡で最高評価のSランクを取得しました。

  • ※1 CASBEE(キャスビー:建築環境総合性能評価システム)とは、建築物を環境性能で評価し、格付けする手法で、産官学で共同開発された全国共通の評価システム

パワー半導体の技術・製品開発力強化の背景と狙い

 当社はSiCパワー半導体など、さらなる電力損失低減のための開発を行っていますが、需要が拡大・多様化する中、市場ニーズにあった新製品開発の加速が求められていました。
 今回、敷地内に分散している営業・開発・設計技術部門を「設計技術棟」へ集約することにより、各部門の連携強化を図り、新技術・新製品開発を加速し、市場ニーズに対応します。

お問い合わせ先
三菱電機株式会社 パワーデバイス製作所 総務部

TEL: 092-805-3012 FAX: 092-805-3731

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