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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2015年3月11日
半導体No.1505

高出力・高効率により基地局のカバーエリアの拡大や小型・低消費電力化に貢献

「3.5GHz帯 第4世代移動通信システム基地局用GaN HEMT」サンプル提供開始

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 三菱電機株式会社は、基地局の電力増幅器に使用される高周波デバイスの新製品として、業界トップクラス※1 の高出力・高効率を実現した「3.5GHz帯 第4世代移動通信システム基地局用GaN HEMT※2」2品種(マクロセル基地局用・スモールセル基地局用)のサンプル提供を4月1日に開始します。

  • ※12015年3月11日時点、当社調べ
  • ※2Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor:窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ

3.5GHz帯 第4世代移動通信システム基地局用GaN HEMT 「MGFS50G38FT1(左)」「MGFS39G38L2(右)」

3.5GHz帯 第4世代移動通信システム基地局用
GaN HEMT 「MGFS50G38FT1(左)」
「MGFS39G38L2(右)」

新製品の特長

  1. 業界トップの出力100Wにより、マクロセル基地局のカバーエリア拡大に貢献
    • トランジスタ構造の最適化により、マクロセル基地局用として業界トップ※1の出力100Wを実現
    • マクロセル基地局の高出力化により、基地局のカバーエリアの拡大に貢献
  2. 業界トップクラスのドレイン効率で、基地局の小型化・低消費電力化に寄与
    • 耐電圧に優れたGaNの採用とトランジスタ構造の最適化により、マクロセル基地局用は74%、スモールセル基地局用は67%という業界トップクラス※1 の高いドレイン効率※3 を実現
    • 高効率化による冷却機能の簡略化により、基地局の小型化・低消費電力化に寄与
    • ※3マクロセル基地局用は出力100W、スモールセル基地局用は出力9Wにおけるパッケージ端での数値

発売の概要

製品名 用途 形名 概要 サンプル価格
(税抜き)
サンプル
提供開始日
3.5GHz帯
第4世代
移動通信
システム
基地局用
GaN HEMT
マクロセル
基地局
MGFS50G38FT1 動作周波数:3.4〜3.8GHz
飽和出力電力:50dBm(100W)
最大ドレイン効率:74%
15,000円 4月1日
スモールセル
基地局
MGFS39G38L2 動作周波数:3.4〜3.8GHz
飽和出力電力:39dBm(9W)
最大ドレイン効率:67%
3,000円 4月1日
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第ニ部

TEL: (03)3218-4880 FAX: (03)3218-4862

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