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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2016年6月15日
半導体No.1607

業界初となる業務無線機の基板への自動実装を実現

業務無線機用「シリコンRF 高出力MOSFETモジュール」発売のお知らせ

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 三菱電機株式会社は、業務無線機に使用される高周波デバイスの新製品として、業界で初めて※1、無線機の基板に自動実装できる「シリコンRF※2 高出力MOSFET※3 モジュール」を7月1日に発売します。従来のネジ止めなどの作業がなくなり、業務無線機の生産性向上に貢献します。
 なお、本製品は業務無線機の送信部を構成する2種のモジュール(ドライバアンプ用・ファイナルアンプ用)をセットで提供します。

  • ※12016年6月15日時点、当社調べ。出力電力60Wクラス品において
  • ※2Radio Frequency:高周波
  • ※3Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化膜半導体製の電界効果トランジスタ

シリコンRF 高出力MOSFETモジュール(写真上:製品裏面、写真下:製品表面)

シリコンRF 高出力MOSFETモジュール
(写真上:製品裏面、写真下:製品表面)

新製品の特長

  1. 業界で初めて業務無線機基板への自動実装を実現し、生産性向上に貢献
    • はんだリフロー温度に耐えられる高耐熱設計の適用により、無線機の基板への自動実装を実現し、生産性向上に貢献
  2. 業務無線機の小型・軽量化と低消費電力化に貢献
    • 回路設計・放熱設計の最適化により、ファイナルアンプ用モジュールの実装面積を従来製品比※4約50%削減、重量を従来製品比※4約3分の1に軽減し、小型・軽量化に貢献
    • ドライバアンプ用モジュールの入力電力を従来製品比※4 約80%低減(10mW)、ファイナルアンプ用モジュールの電力効率を従来製品比※4 約5%向上(60%)し、低消費電力化に貢献
    • ※4当社従来品「RAシリーズ」との比較
  3. 業務無線機の送信部を構成する2種のモジュールをセットで提供
    • ドライバアンプ用・ファイナルアンプ用モジュールをセットで提供することにより、お客様にてアンプ間のインピーダンス整合回路の組み込みが不要となり、業務無線機の開発効率化に寄与

発売の概要

適用周波数帯 形名※5 概要 サンプル価格
(税抜き)
発売日
動作電圧 入力電力 出力電力 電力効率
135-175MHz RA05H1317MS1 12.5V 10mW 85W 60% 5,000円 7月1日
RA60H1317MS1
378-470MHz RA05H3353MS1 53% 5,000円
RA60H3847MS1
440-527MHz RA05H3353MS1 52% 5,000円
RA60H4453MS1
  • ※5上段がドライバアンプ用モジュール、下段がファイナルアンプ用モジュールの形名
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第ニ部

TEL: (03)3218-4880 FAX: (03)3218-4862

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