ニュースリリース

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2016年8月31日
半導体No.1611

業界トップの高効率で基地局の小型・低消費電力化に貢献

「2.6GHz帯 第4世代移動通信システム基地局用220W GaN HEMT」サンプル提供開始

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 三菱電機株式会社は、移動通信システム基地局の電力増幅器に使用される高周波デバイスの新製品として、業界トップ※1 の高効率で基地局の小型・低消費電力化に貢献する「2.6GHz帯 第4世代移動通信システム基地局用220W GaN HEMT※2 」のサンプル提供を11月1日に開始します。

  • ※12016年8月31日時点、当社調べ
  • ※2Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor:窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ

2.6GHz帯 第4世代移動通信システム基地局用220W GaN HEMT 「MGFS53G27ET1」

2.6GHz帯 第4世代移動通信システム基地局用220W GaN HEMT
「MGFS53G27ET1」

新製品の特長

  1. 業界トップのドレイン効率で、基地局の小型化・低消費電力化に寄与
    • 耐電圧に優れたGaNの採用とトランジスタ構造の最適化により、マクロセル基地局※3用として74%という業界トップの高いドレイン効率※4を実現
    • 高効率化により通信設備の冷却機能を簡略化でき、基地局の小型化・低消費電力化に寄与
    • ※3移動体通信システムの通信エリアの呼称の一つで、通信エリアが半径数km〜25km程度の広域なもの
    • ※4パッケージ端での数値
  2. フランジレスパッケージにより電力増幅器の小型化に貢献
    • フランジ※5レスパッケージの採用により取り付け面積を削減し、電力増幅器の小型化に貢献
      • ※5ネジなどで固定するためにパッケージから鍔状に張り出た部分
  3. マクロセル基地局用製品のラインアップ拡大により多様なニーズに対応
    • 3.5GHz帯に加え、2.6GHz帯製品を新たにラインアップし、移動体通信システム基地局の多様なニーズに対応

発売の概要

製品名 用途 形名 概要 サンプル
価格
(税抜き)
サンプル
提供
開始日
動作
周波数
飽和出力
電力
最大
ドレイン効率
2.6GHz帯
第4世代移動通信
システム
基地局用
220W GaN HEMT
マクロセル
基地局
MGFS53
G27ET1
2.5〜
2.7GHz
53.4dBm
(220W)
74% 15,000円 11月1日
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第ニ部

TEL: (03)3218-4880 FAX: (03)3218-4862

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