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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2019年3月27日
半導体No.1902

電源システムの低消費電力化・小型化に貢献

三菱電機パワー半導体「1200V SiC-SBD」発売のお知らせ

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 三菱電機株式会社は、太陽光発電装置やEV用充電器などの電源システムの低消費電力化・小型化に貢献するパワー半導体の新製品として、SiC※1を用いた1200V耐圧の「1200V SiC-SBD※2」5タイプを2019年6月にサンプル提供を開始し、2020年1月から順次発売します。なお、本製品は「TECHNO-FRONTIER 2019第37回モータ技術展」(4月17日〜19日、於:幕張メッセ)、「PCIM Europe 2019」(5月7日〜9日、於:ドイツ連邦共和国・ニュルンベルク)、「PCIM Asia 2019」(6月26日〜28日、於:中華人民共和国・上海)に出展します。

  • ※1Silicon Carbide:炭化ケイ素
  • ※2Schottky Barrier Diode:半導体と金属の接合部に生じるショットキー障壁を利用したダイオード
1200V SiC-SBD TO-247パッケージ

1200V SiC-SBD TO-247パッケージ

1200V SiC-SBD TO-247-2パッケージ

1200V SiC-SBD TO-247-2パッケージ

新製品の特長

  1. SiCの採用で、低消費電力化・小型化に貢献
    • SiCを用いることでSi(シリコン)と比べてスイッチング損失を大幅に削減し、電力損失を約21%低減※3
    • 高速スイッチングが可能となり、リアクトルなど周辺部品の小型化に貢献
    • ※3PFC回路を内蔵した当社製パワー半導体モジュール「DIPPFCTM」に搭載のSiダイオードとの比較
  2. JBS構造の採用により、高信頼性に寄与
    • pn接合とショットキー接合を組み合わせたJBS※4構造を採用
    • JBS構造により高サージ耐量を実現することで、高信頼性に寄与
    • ※4Junction Barrier Schottky
  3. さまざまな用途に対応する5製品をラインアップ
    • 一般的なTO-247パッケージに加え、絶縁距離を拡大したTO-247-2パッケージの採用により民生品をはじめ産業などのさまざまな用途に対応
    • AEC-Q101※5に準拠した製品(BD20120SJ)もラインアップし、車載用途にも対応
    • ※5Automotive Electronics Council:車載電子部品の品質規格

発売の概要

製品名 形名 パッケージ 概要 サンプル価格
(税抜き)
サンプル
提供開始月
発売月
1200V
SiC-SBD
BD10120P TO-247-2 1200V/10A 600円 2019年
6月
2020年
1月
BD20120P 1200V/20A 1,000円
BD10120S TO-247 1200V/10A 600円
BD20120S 1200V/20A 1,000円
BD20120SJ 1200V/20A
AEC-Q101
1,000円 2020年
4月
お問い合わせ先
三菱電機株式会社 半導体・デバイス第一事業部 パワーデバイス営業部

TEL: (03)3218-3239 FAX: (03)3218-2723

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