ここから本文

ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2019年9月30日
開発No.1930

パワーエレクトロニクス機器のさらなる省エネ化・小型化に貢献

独自の電界緩和構造を採用したトレンチ型SiC-MOSFETを開発

印刷用ページへ