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ニュースリリース

テキスト版

掲載のデータは発表当時のものです。価格・仕様について変更する場合もございます。

2019年12月12日
半導体No.1910

マルチキャリア通信対応、情報伝送量の大容量化と衛星通信基地局の小型化に貢献

「Ku帯 衛星通信地球局用GaN HEMT」ラインアップ拡大のお知らせ

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 三菱電機株式会社は、Ku帯※1衛星通信(SATCOM※2)地球局の電力増幅器に使用される高周波デバイス「Ku帯 衛星通信地球局用GaN HEMT※3」の新製品として、マルチキャリア通信※4に対応した、業界トップの離調周波数400MHzを実現した1機種と業界トップの高出力電力100Wを実現した1機種の合計2機種を2020年1月15日に発売します。これにより、情報伝送量の大容量化と衛星通信地球局の小型化に貢献します。

  • ※1周波数12GHz〜18GHzのマイクロ波
  • ※2Satellite Communications
  • ※3Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor:窒化ガリウムを用いた高電子移動度トランジスタ
  • ※4周波数などの特性が異なる複数の搬送波を同時に利用する無線通信
Ku帯 衛星通信地球局用GaN HEMT 左「MGFK50G3745A」(100W)、右「MGFK48G3745A」(70W)

Ku帯 衛星通信地球局用GaN HEMT
左「MGFK50G3745A」(100W)、右「MGFK48G3745A」(70W)

新製品の特長

  1. 業界トップの離調周波数400MHzの実現により、情報伝送量の大容量化に貢献
    • マルチキャリア通信に対応した、低歪特性※5を実現する整合回路により、従来比※6 80倍で業界トップ※7の離調周波数※8 400MHzを実現【MGFK48G3745A】
    • 広い離調周波数における2波信号入力時の歪特性を低く抑制することにより、マルチキャリア通信における衛星通信の情報伝送量の大容量化に貢献
    • ※5歪が大きいと他の信号に接触して通信の品質が低下するため、歪が小さいほど好ましい
    • ※6MGFK48G3745、MGFK50G3745
    • ※72019年12月12日時点、当社調べ
    • ※8周波数の異なる2波(f1, f2)の信号を入力し測定する三次相互変調歪における差分周波数(f2-f1)
  2. 業界トップの出力電力100Wの実現により、衛星通信地球局の小型化に貢献
    • 低歪特性を実現する整合回路とトランジスタ構造の最適化により、業界トップ※7の出力電力100Wを実現【MGFK50G3745A】
    • 電力増幅器の部品点数を削減し、衛星通信地球局の小型化に貢献

発売の概要

製品名形名概要サンプル
価格
(税抜き)
発売日
動作
周波数
飽和出力
電力
離調
周波数
Ku帯
衛星通信
地球局用
GaN HEMT
MGFK48G3745A13.75〜
14.5GHz
48.3dBm
(70W)
〜400MHz150,000円2020年
1月15日
MGFK50G3745A50.0dBm
(100W)
〜200MHz250,000円

お問い合わせ先

三菱電機株式会社 半導体・デバイス第二事業部 高周波光デバイス営業第二部
TEL 03-3218-4880 FAX 03-3218-4862
衛星通信(SATCOM)地球局用GaN HEMT・MMIC

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