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半導体・デバイス

展示会・イベント ICSCRM 2019展示会・イベント ICSCRM 2019

ICSCRM 2019

Exhibition Report

去る2019年9月30日(月)から10月4日(金)まで、京都・国立京都国際会館にて開催されましたSiCに関する国際会議「ICSCRM 2019」での、弊社発表のご聴講や展示コーナーへご来場くださいまして、誠にありがとうございました。

三菱電機 展示コーナー

出展製品
広報発表

1. 展示会概要

名称
ICSCRM 2019
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
  • SiC及び関連材料に関する国際会議
日時
2019年9月29日(日) - 10月4日(金)
コンファレンス新しいウィンドウが開きます
展示会
9月30日(月)9:00 - 18:00
10月1日(火)、2日(水)8:30 - 18:00
10月3日(木)8:30 - 16:00
10月4日(金)8:30 - 14:00
会場
京都・日本
国立京都国際会館
URL
https://www.icscrm2019.org/新しいウィンドウが開きます

2. コンファレンス 三菱電機発表

Day Time Room Session Title
Sep. 30, 2019 12:00-12:15 A Mo-1A Effects of Grounding Bottom Oxide Protection Layer in Trench-Gate SiC-MOSFET by Tilted Al Implantation
Sep. 30, 2019 12:15-12:30 A Mo-1A Performance Improvement of Trench Gate SiC MOSFET by Localized High-Concentration N-Type Ion Implantation
Sep. 30, 2019 15:45-17:45 Annex-1 Mo-P Investigation on the Effect of Total Loss Reduction of HV Power Module by using SiC-MOSFET Embedding SBD
Oct. 1, 2019 16:15-18:15 Annex-1 Tu-P Investigation of dislocations inducing leakage currents on SiC junction barrier schottky diode by two-photon-excited band-edge photoluminescence
Oct. 1, 2019 16:15-18:15 Annex-1 Tu-P Crystalline quality evaluation of SiC p/n column layers formed by trench-filling-epitaxial growth
Oct. 2 2019 10:45-11:15 A We-2A Improvement of channel characteristics of SiC MOSFETs by sulfur doping based on newly-developed carrier transport model
Oct. 2, 2019 14:15-14:30 Annex-2 We-3B Influence of carbon-implantation on carrier density and carrier lifetimes using time, space, and spectral resolutions
Oct. 2, 2019 16:15-18:15 Annex-1 We-P Compatibility of POCl3 gate process with the fabrication of vertical 4H-SiC MOSFETs
Oct. 3, 2019 13:45-15:45 Annex-1 Th-P Verification of Forward Degradation in PiN Diode Using Free-Standing 4H-SiC Epitaxial Layers
Oct. 4, 2019 11:30-11:45 A Fr-2A Experimental demonstration of the SOA ruggedness in 13kV SiC-IGBT
Oct. 4, 2019 11:45-12:00 A Fr-2A 20kV-class Ultra-High Voltage 4H-SiC n-IE-IGBTs

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