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半導体・デバイス

高周波デバイス

GaAs高周波デバイス 小信号GaAs FET/HEMT,InGaP HBT MGF4841AL

項目名 レベル 単位
供給状態   量産  
周波数   12 GHz
ドレイン・ソース電圧 Typ 2.5 V
ドレイン電流   25 mA
外形   GD-32  
直線電力利得 Min 9 dB
1dB利得圧縮時出力電力   11.0(min) 14.0(Typ) dBm
品質レベル   -  
RoHS指令   2011/65/EU RoHS2 準拠  

注釈

RoHS2 : EUにおける電子・電気機器に含まれる特定有害物質の使用制限指令

関連資料

資料種別 タイトル 更新日 ファイル種別 ファイルサイズ 言語
データシート - 2015/03/12 pdf PDF 229KB 英語
Sパラメーター - 2015/03/12 txt S2P 2KB -