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半導体・デバイス

高周波デバイス

GaAs高周波デバイス 小信号GaAs FET/HEMT,InGaP HBT MGF4841CL

項目名 レベル 単位
供給状態   量産  
周波数   24.3 GHz
ドレイン・ソース電圧 Typ 1.5 V
ドレイン電流   VGS=0V mA
外形   GD-32  
直線電力利得 Min 6 dB
1dB利得圧縮時出力電力   5.5(min) 7.6(typ) dBm
品質レベル   AEC-Q 101準拠  
RoHS指令   2011/65/EU RoHS2 準拠  

注釈

AEC : 車載用電子部品信頼性標準化団体による品質管理規格(Automotive Electronics Council)
RoHS2 : EUにおける電子・電気機器に含まれる特定有害物質の使用制限指令

関連資料

資料種別 タイトル 更新日 ファイル種別 ファイルサイズ 言語
データシート - 2015/03/16 pdf PDF 253KB 英語
Sパラメーター - 2015/03/16 txt S2P 2KB -