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半導体・デバイス

高周波デバイス

GaAs高周波デバイス 低雑音GaAs HEMT MGF4921AM

項目名 レベル 単位
供給状態   量産  
周波数 Typ 4 GHz
ドレイン・ソース電圧 Typ 2 V
ドレイン電流   15 mA
外形   GD-30  
雑音指数   0.35(typ) 0.55(max) dB
雑音最小電力利得   11.5(min) 13.0(typ) dB
品質レベル   AEC-Q 101準拠  
RoHS指令   2011/65/EU RoHS2 準拠  

注釈

AEC : 車載用電子部品信頼性標準化団体による品質管理規格(Automotive Electronics Council)
RoHS2 : EUにおける電子・電気機器に含まれる特定有害物質の使用制限指令

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データシート - 2012/10/25 pdf PDF 326KB 英語
Sパラメーター - 2015/03/16 txt S2P 2KB -