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半導体・デバイス

高周波デバイス

GaN高周波デバイス 衛星通信用高出力GaN HEMT MGFG5H1503

項目名 レベル 単位
供給状態   量産  
周波数   13.75~14.5 GHz
ドレイン・ソース間電圧 Typ 24 V
出力電力 Typ 20 W
外形   GF-65  
電力付加効率 Typ - %
直線電力利得 Typ 18.0(min) 20.0(typ) dB
3dB 利得圧縮時出力電力   41.0(min) 43.0(typ)  
三次相互変調歪   - dBc
製品形態   MMIC  
RoHS指令   -  

注釈

MMIC : モノリシックマイクロ波集積回路 (Monolithic Microwave Integrated Circuit)

関連資料

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データシート - 2015/01/12 pdf PDF 165KB 英語