このページの本文へ

ここから本文


半導体・デバイス

高周波デバイス

GaN高周波デバイス 衛星通信用高出力GaN HEMT MGFG5H3001

項目名 レベル 単位
供給状態   開発中  
周波数   27.5~31 GHz
ドレイン・ソース間電圧 Typ 24 V
出力電力 Typ 1.5 W
外形   GF-71  
電力付加効率 Typ 12 %
直線電力利得 Typ 11.0(min) 15.0(typ) dB
3dB 利得圧縮時出力電力   -  
三次相互変調歪   -25dBc dBc
製品形態   -  
RoHS指令   2011/65/EU RoHS2 準拠  

注釈

RoHS2 : EUにおける電子・電気機器に含まれる特定有害物質の使用制限指令

関連資料

資料種別 タイトル 更新日 ファイル種別 ファイルサイズ 言語
データシート - 2017/10/09 pdf PDF 169KB 英語