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半導体・デバイス

高周波デバイス

GaN高周波デバイス 衛星通信用高出力GaN HEMT MGFK47G3745A

項目名 レベル 単位
供給状態   量産  
周波数   13.75~14.5 GHz
ドレイン・ソース間電圧 Typ 24 V
出力電力 Typ 50 W
外形   GF-8  
電力付加効率 Typ 30 %
直線電力利得 Typ 7.0(min) 8.0(typ) dB
3dB 利得圧縮時出力電力   46.0(min) 47.0(typ)  
三次相互変調歪   -25(min) dBc
製品形態   内部整合型FET  
RoHS指令   2011/65/EU RoHS2 準拠  

注釈

内部整合型FET : IMFET (Internally Matched Field Effect Transistor)
RoHS2 : EUにおける電子・電気機器に含まれる特定有害物質の使用制限指令

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データシート - 2016/08/19 pdf PDF 97KB 英語