このページの本文へ

ここから本文


半導体・デバイス

高周波デバイス

GaN高周波デバイス 衛星通信用高出力GaN HEMT MGFK48G3745

項目名 レベル 単位
供給状態   量産  
周波数   13.75~14.5 GHz
ドレイン・ソース間電圧 Typ 24 V
出力電力 Typ 70 W
外形   GF-8  
電力付加効率 Typ 33 %
直線電力利得 Typ 9.0(min) 10.0(typ) dB
3dB 利得圧縮時出力電力   47.3(min) 48.3(typ)  
三次相互変調歪   -25(min) dBc
製品形態   内部整合型FET  
RoHS指令   2011/65/EU RoHS2 準拠  

注釈

内部整合型FET : IMFET (Internally Matched Field Effect Transistor)
RoHS2 : EUにおける電子・電気機器に含まれる特定有害物質の使用制限指令

関連資料

資料種別 タイトル 更新日 ファイル種別 ファイルサイズ 言語
データシート - 2017/09/15 pdf PDF 230KB 英語