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半導体・デバイス

高周波デバイス

GaN高周波デバイス 衛星通信用高出力GaN HEMT MGFK49G3745

項目名 レベル 単位
供給状態   量産  
周波数   13.75~14.5 GHz
ドレイン・ソース間電圧 Typ 24 V
出力電力 Typ 80 W
外形   GF-38  
電力付加効率 Typ 28 %
直線電力利得 Typ 6.5(min) 7.5(typ) dB
3dB 利得圧縮時出力電力   48.0(min) 49.0(typ)  
三次相互変調歪   -25(min) dBc
製品形態   内部整合型FET  
RoHS指令   -  

注釈

内部整合型FET : IMFET (Internally Matched Field Effect Transistor)

関連資料

資料種別 タイトル 更新日 ファイル種別 ファイルサイズ 言語
データシート - 2015/01/12 pdf PDF 178KB 英語