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半導体・デバイス

高周波デバイス

GaN高周波デバイス 移動通信システム基地局用GaN HEMT MGFS37G38L2

項目名 レベル 単位
供給状態   量産  
周波数   2.5~3.8 GHz
ドレイン・ソース電圧 Typ 50
出力電力 Typ 5 W
外形   GF-67  
ドレイン効率   60 %
直線電力利得   17(min.) 18(typ.) dB
3dB 利得圧縮時出力電力   - dBm
製品形態   無整合型FET  
RoHS指令   2011/65/EU RoHS2 準拠  

注釈

無整合型FET : 整合回路のない電界効果トランジスタ
RoHS2 : EUにおける電子・電気機器に含まれる特定有害物質の使用制限指令

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データシート - 2017/11/10 pdf PDF 334KB 英語