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半導体・デバイス

高周波デバイス

シリコンRFデバイス RF 高出力MOS FETモジュール RA03M8087M

項目名 レベル 単位
供給状態   量産  
電源電圧 Typ 7.2 V
周波数 (Min - Max)   806~870 MHz
出力電力   3.6 W
外形   H46S  
入力電力 Typ 50 mW
ドレイン効率 (Min)   32 %
特長   -  
RoHS指令   2011/65/EU RoHS2 準拠  

注釈

RoHS2 : EUにおける電子・電気機器に含まれる特定有害物質の使用制限指令

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資料種別 タイトル 更新日 ファイル種別 ファイルサイズ 言語
データシート - 2017/06/07 pdf PDF 289KB 英語