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半導体・デバイス

高周波デバイス

シリコンRFデバイス RF 高出力MOS FETモジュール RA60H3847M1

項目名 レベル 単位
供給状態   量産  
電源電圧 Typ 12.5 V
周波数 (Min - Max)   378~470 MHz
出力電力   60 W
外形   H2M  
入力電力 Typ 50 mW
ドレイン効率 (Min)   40 %
特長   -  
RoHS指令   2011/65/EU RoHS2 準拠  

注釈

RoHS2 : EUにおける電子・電気機器に含まれる特定有害物質の使用制限指令

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データシート - 2017/06/07 pdf PDF 608KB 英語