シリコンRFデバイス RF 高出力MOS FETモジュール RA60H3847M1A
| 項目名 | レベル | 値 | 単位 |
|---|---|---|---|
| 供給状態 | 量産 | ||
| 電源電圧 | Typ | 12.5 | V |
| 周波数 (Min - Max) | 378～470 | MHz | |
| 出力電力 | 60 | W | |
| 外形 | H2M(A) | ||
| 入力電力 | Typ | 50 | mW |
| ドレイン効率 (Min) | 40 | % | |
| 特長 | VGS1，VGD2分離タイプ | ||
| RoHS指令 | 2011/65/EU RoHS2 準拠 |
注釈
RoHS2 : EUにおける電子・電気機器に含まれる特定有害物質の使用制限指令
関連資料
| 資料種別 | タイトル | 更新日 | ファイル種別 | ファイルサイズ | 言語 |
|---|---|---|---|---|---|
| データシート | - | 2017/06/07 |  PDF |
423KB | 英語 |