シリコンRFデバイス RF 高出力MOS FETモジュール RA60H3847M1A
項目名 | レベル | 値 | 単位 |
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供給状態 | 量産 | ||
電源電圧 | Typ | 12.5 | V |
周波数 (Min - Max) | 378~470 | MHz | |
出力電力 | 60 | W | |
外形 | H2M(A) | ||
入力電力 | Typ | 50 | mW |
ドレイン効率 (Min) | 40 | % | |
特長 | VGS1,VGD2分離タイプ | ||
RoHS指令 | 2011/65/EU RoHS2 準拠 |
注釈
RoHS2 : EUにおける電子・電気機器に含まれる特定有害物質の使用制限指令