このページの本文へ

ここから本文


半導体・デバイス

高周波デバイス

シリコンRFデバイス RF 高出力MOS FET(ディスクリート) RD01MUS2B

項目名 レベル 単位
供給状態   量産  
電源電圧 Typ 7.2 V
周波数   527 MHz
出力電力 (Min)   1 W
外形   SOT-89  
入力電力 (Typ)   0.03 W
ドレイン効率 (Min)   60 %
特長   ゲート保護ダイオード内蔵  
RoHS指令   2011/65/EU RoHS2 準拠  

注釈

RoHS2 : EUにおける電子・電気機器に含まれる特定有害物質の使用制限指令

関連資料

資料種別 タイトル 更新日 ファイル種別 ファイルサイズ 言語
データシート - 2017/05/28 pdf PDF 3905KB 英語
Sパラメーター - 2017/05/28 txt S2P 184KB 英語