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半導体・デバイス

高周波デバイス

シリコンRFデバイス RF 高出力MOS FET(ディスクリート) RD12MVS1

項目名 レベル 単位
供給状態   開発中  
電源電圧 Typ 7.2 V
周波数   175 MHz
出力電力 (Min)   11.5 W
外形   SLP  
入力電力 (Typ)   1 W
ドレイン効率 (Min)   55 %
特長   ゲート保護ダイオード内蔵  
RoHS指令   2011/65/EU RoHS2 準拠  

注釈

RoHS2 : EUにおける電子・電気機器に含まれる特定有害物質の使用制限指令

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データシート - 2017/07/28 pdf PDF 431KB 英語