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半導体・デバイス

高周波デバイス

シリコンRFデバイス RF 高出力MOS FET(ディスクリート) RD35HUP2

項目名 レベル 単位
供給状態   量産  
電源電圧 Typ 12.5 V
周波数   175 / 530 MHz
出力電力 (Min)   35(typ) W
外形   HPM  
入力電力 (Typ)   3 W
ドレイン効率 (Min)   55(typ) %
特長   ゲート保護ダイオード内蔵  
RoHS指令   RoHS指令(2011/65/EU、(EU) 2015/863)に準拠  

注釈

RoHS : Restriction of the use of certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

関連資料

資料種別 タイトル 更新日 ファイル種別 ファイルサイズ 言語
データシート - 2019/02/26 pdf PDF 1184KB 英語
Sパラメーター - 2017/05/28 txt S2P 169KB 英語