このページの本文へ

ここから本文


半導体・デバイス

高周波デバイス

シリコンRFデバイス RF 高出力MOS FET(ディスクリート) RD70HVF1C

項目名 レベル 単位
供給状態   量産  
電源電圧 Typ 12.5 V
周波数   175 / 520 MHz
出力電力 (Min)   70 / 50 W
外形   Ceramic(Large)  
入力電力 (Typ)   4/ 10 W
ドレイン効率 (Min)   50 / 50 %
特長   ゲート保護ダイオード内蔵  
RoHS指令   2011/65/EU RoHS2 準拠  

注釈

RoHS2 : EUにおける電子・電気機器に含まれる特定有害物質の使用制限指令

関連資料

資料種別 タイトル 更新日 ファイル種別 ファイルサイズ 言語
データシート - 2017/07/28 pdf PDF 444KB 英語
Sパラメーター - 2017/07/28 txt S2P 6KB 英語