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半導体・デバイス

GaAs高周波デバイスGaAs高周波デバイス

概要

情報時代を実現するためのベストのソリューション。

高速インターネット、ビデオ・オン・デマンドおよび高速データ通信のような通信ネットワークは急速に発展しています。

三菱電機の各種GaAsデバイス製品により、情報時代の実現に向けた最適なソリューションを提供いたします。

特長

  • 低雑音GaAs FET/HEMT/InGaP HBTおよびこれらMMICは、DBS/SDARS/GPS/自動車等で使用される低雑音、高利得および低歪増幅器です。

主な用途

DBS※1 / SDARS※2 / GPS※3 / 自動車

  • ※1
    DBS:Direct Broadcasting Satellite(直接放送衛星)
  • ※2
    SDARS:Satellite Digital Audio Radio Service(衛星デジタル音声放送)
  • ※3
    GPS:Global Positioning System(全地球測位システム)

セレクトマップ

低雑音GaAs HEMT

低雑音GaAs HEMT

小信号GaAs FET/HEMT, InGaP HBT

小信号GaAs FET/HEMT, InGaP HBT

注記

  • 衛星搭載用デバイスをご用意しております。営業窓口までお問い合わせください。
  • ADS/MWOの非線型モデル、信頼性データをご用意しております。営業窓口までお問い合わせください。

データシート

GaAs高周波デバイスのデータシートがご覧いただけます。


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