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半導体・デバイス

GaAs高周波デバイスGaAs高周波デバイス

概要

衛星放送受信機、通信受信装置や衛星通信受信器に最適な化合物半導体であるGaAs(Gallium Arsenide ガリウムひ素)デバイス。

衛星からの電波を受信する機器においては、微弱な信号を雑音なく増幅するために、HEMTデバイスが使用されています。

三菱電機はゲート長の微細化などのデバイスの構造や、パッケージ構造の改良により低雑音化を実現し、衛星放送受信機の小型化や、受信機の小型化・低価格化に貢献しています。

特長

低雑音 / 豊富な製品ラインアップ

主な用途

直接放送衛星 / BSデジタル音声放送 / GPS(全地球測位システム)/ 自動車 / 他


セレクトマップ

低雑音GaAs HEMT

低雑音GaAs HEMT MGF4921AM MGF4921AM MGF4934CM MGF4935AM MGF4937AM MGF4941AL MGF4941CL MGF4964BL MGF4965BM
  • ★:新製品
  • ■:AEC-Q101準拠
  • FET:Field Effect Transistor
  • HEMT:High Electron Mobility Transistor

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小信号GaAs FET/HEMT, InGaP HBT

小信号GaAs FET/HEMT, InGaP HBT MGF3022AM MGF4841AL MGF4841CL
  • ■:AEC-Q101準拠
  • HBT:Heterojunction Bipolar Transistor

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注記

  • 衛星搭載用デバイスをご用意しております。営業窓口までお問い合わせください。
  • ADS/MWOの非線型モデル、信頼性データをご用意しております。営業窓口までお問い合わせください。

データシート

GaAs高周波デバイスのデータシートがご覧いただけます。


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