このページの本文へ

ここから本文


半導体・デバイス

GaN高周波デバイスGaN高周波デバイス

概要

スマートフォンやタブレットなどの携帯端末の急速な普及により、移動通信システム基地局の増設や災害時の通信の確保・地上通信網の整備が地理的に難しい地域での高速通信手段である衛星通信システム(SATCOM)の地球局の設置が求められています。

各システムでは、Siトランジスタを用いた電力増幅器が採用されてきましたが、Siに比べて高効率・高出力が期待できるGaN(Gallium Nitride 窒化ガリウム)をトランジスタに用いたGaN増幅器への置き換えが進められてます。

当社のGaN高周波デバイスは、高効率・高出力と豊富な製品ラインアップで、高速・大容量通信システムの進化に貢献します。

特長

GaNデバイス / 高効率・高出力 / 豊富な製品ラインアップ

主な用途

移動通信システム基地局
衛星通信地球局(SATCOM)

セレクトマップ

GaN HEMT / 高出力GaN HEMT

GaN HEMT / 高出力GaN HEMT MGFS39G38L2 MGFS38G38L2 MGFS37G38L2 MGFK50G3745 MGFK49G3745 MGFK48G3745 MGFK47G3745A MGFG5H1503 MGFG5H3001
★:新製品
独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の委託研究の成果の一部を活用しています。

3.5GHz 移動通信システム基地局用 GaN HEMT

移動通信システム基地局用

5W/7W/9W出力の製品ラインアップでスモールセル基地局の多様なニーズに対応

特長

3.5GHz 移動通信システム基地局用 GaN HEMT
  • 耐電圧に優れたGaNの採用とトランジスタ構造の最適により、67%という業界トップの高いドレイン効率を実現
  • 高効率化による電力増幅器の小型化・低消費電力化により、通信設備の冷却機能を簡略化でき、基地局の小型化・低消費電力化に寄与
  • 5W/7W/9Wの製品ラインアップで、移動通信システム基地局の多様なニーズに対応

※2015年12月時点

製品ラインアップ

用途 周波数 形名 出力電力 線形利得 電力付加効率 推奨動作電圧 パッケージ
スモールセル基地局 3.4-3.8GHz MGFS39G38L2 9W 39.5dBm 20dB 67% 50V モールド
MGFS38G38L2 7W 38.4dBm 20dB 67%
MGFS37G38L2 5W 37.0dBm 20dB 67%

ドハティ増幅器での測定結果 (5Wx2chip)

ドハティ増幅器
Freq 3.48GHz 3.50GHz 3.52GHz
Psat 33.9dBm 33.9dBm 34.0dBm
Glp 14.3dB 14.1dB 13.5dB
Effd 51.6% 51.3% 52.0%
E-UTRA -50.0dBc -50.0dBc -50.0dBc

衛星通信地球局(SATCOM)用GaN HEMT・MMIC

衛星通信地球局(SATCOM)用

豊富な製品ラインアップで衛星通信地球局(SATCOM)の多様なニーズに対応

Ku帯 高出力GaN HEMT・MMIC

Ku帯 高出力GaN HEMT・MMIC
  • ドライバー段から最終段増幅器用途まで対応可能な、GaNデバイス Ku帯20W/50W/70W/80W/100W品をラインアップ
  • 業界トップの高出力電力製品(MGFK50G3745:Ku帯100W)や高利得製品(MGFG48G3745:70W)にて、衛星通信地球局(SATCOM)の小型化・部品点数削減に貢献
  • リニアライザ機能の内蔵により(MGFG5H1503:20W)、業界トップレベルとなる低ひずみ特性を実現
  • 豊富な製品ラインアップにより、出力電力やレイアウトスペースなど様々なご要求に応じた当社製品でのセットソリューション(多段増幅回路構成)が提案可能。その際、当社製品に最適な周辺回路の提示により、客先での設計期間の大幅な短縮も可能

※2016年9月時点

ニュースリリース GaN HEMT
ニュースリリース GaN MMIC

Ka帯 GaN HEMT MMIC

Ka波段GaN HEMT MMIC
  • Ku帯に加え、Ka帯製品のGaNデバイス化にて業界トップレベルの出力電力8Wを実現
  • リニアライザ機能の内蔵により、低ひずみ特性を実現

※2017年10月時点

ニュースリリース

製品ラインアップ

周波数 形名 出力電力 線形利得 電力付加効率 備考
Ku帯 13.75-14.5 GHz MGFG5H1503 20W 43.0dBm 20dB 18% MMIC
MGFK50G3745 100W 50.0dBm 10dB 30% IMFET
MGFK49G3745 80W 49.0dBm 7.5dB 28%
MGFK48G3745 70W 48.3dBm 9.3dB 33%
MGFK47G3745A 50W 47.0dBm 9dB 30%
Ka帯 27.5-31.0GHz MGFG5H3001 8W 39.0dBm 15dB 12% MMIC

国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の委託研究の成果の一部を活用しています。

注記

  • 低電圧駆動製品をお求めの場合は、GaAs高周波デバイスをご覧ください。
  • ADS/MWOの非線型モデル、信頼性データをご用意しております。営業窓口までお問い合わせください。

データシート

GaN高周波デバイスのデータシートがご覧いただけます。


印刷用ページへ