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半導体・デバイス

シリコンRFデバイスシリコンRFデバイス

概要

無線通信ネットワークを支える三菱シリコンRFデバイス

シリコン高周波デバイスは、数MHz~1GHzにわたる周波数帯域における移動無線通信機器の送信段電力増幅用キーパーツとして、官公庁向けをはじめとする各種移動業務用無線機、アマチュア無線機、車載TELEMATICS市場まで幅広い製品ラインアップにより、無線通信ネットワークを力強くサポートいたします。

セレクトマップ

3.6V動作 RF 高出力 MOS FET(ディスクリート)

3.6V動作 RF 高出力 MOS FET(ディスクリート) RD02LUS2 RD04LUS2

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7.2V動作 RF 高出力 MOS FET(ディスクリート)

7.2V動作 RF 高出力 MOS FET(ディスクリート) RD12MVP1 RD12MVS1 RD08MUS2 RD07MUS2B RD09MUP2 RD10MMS2 RD05MMP1 RD01MUS2 RD02MUS2 RD01MUS2B

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12.5V動作 RF 高出力 MOS FET(ディスクリート)

12.5V動作 RF 高出力 MOS FET(ディスクリート) RD100HHF1C RD70HUP2 RD70HVF1C RD60HUF1C RD35HUP2 RD16HHF1 RD15HVF1 RD06HHF1 RD06HVF1 RD04HMS2

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7.2V動作 RF 高出力 MOS FETモジュール

7.2V動作 RF 高出力 MOS FETモジュール RA07M1317M RA07M3847M RA07M4452M RA03M8087M RA03M8894M

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9.6V動作 RF 高出力 MOS FETモジュール

9.6V動作 RF 高出力 MOS FETモジュール RA08N1317M RA07N4047M RA07N4452M

★:新製品

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12.5V動作 RF 高出力 MOS FETモジュール

12.5V動作 RF 高出力 MOS FETモジュール RA80H1415M1 RA60H1317M1A RA60H1317M1B RA60H3340M1A RA60H3847M1 RA60H3847M1A RA60H4452M1 RA60H4452M1A RA33H1516M1 RA30H1317M1 RA30H1317M1A RA30H3847M1 RA30H3847M1A RA30H4452M1 RA30H4452M1A RA30H2127M1 RA08H1317M RA07N4047M RA07N4452M

★:新製品

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注記

  • ADS/MWOの非線型モデル、信頼性データをご用意しております。営業窓口までお問い合わせください。

データシート

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