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半導体・デバイス

HVIGBTモジュールHVIGBTモジュール

概要

高耐圧・大電流を必要とする電鉄や大型産業機械などのパワーエレクトロニクス機器に使用されるサイリスタやGTOサイリスタに代わり、駆動回路の小型化、システムの軽量化や効率化に応え、HV(High Voltage)IGBTモジュールをラインアップしています。1.7kVから6.5kVの耐圧製品をラインアップし、大容量インバーター機器の高信頼性や省エネに貢献しています。

特長〈Rシリーズ〉

  • プレーナIGBT搭載
  • ソフトリカバリーダイオード搭載
  • AlSiCベース板
  • 高絶縁パッケージ(Viso 10.2kV,AC 1min)もラインアップ
  • 動作温度範囲の拡大

主な用途

インバータ装置 / コンバータ装置 / DCチョッパ装置

機能別一覧表〈Rシリーズ〉

Connection VCES
(V)
Viso
(kV)
IC(A)
750 800 1000 1200 1500
H コネクションHの画像 3300 6.0     CM1000HC
-66R
  CM1500HC
-66R
10.2         CM1500HG
-66R
★★
4500 6.0   CM800HC
-90R
★★
  CM1200HC
-90R
CM1200HC
-90RA
 
10.2   CM800HG
-90R
  CM1200HG
-90R
 
6500 10.2 CM750HG
-130R
       
E4 コネクションE4の画像 3300 6.0     CM1000E4C
-66R
   

★★開発中


データシート

HVIGBTモジュールの半導体データシートがご覧いただけます。


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