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半導体・デバイス

HVIGBTモジュール/HVIPMHVIGBTモジュール/HVIPM

概要

高耐圧・大電流を必要とする電鉄や大型産業機械などのパワーエレクトロニクス機器に使用されるサイリスタやGTOサイリスタに代わり、駆動回路の小型化、システムの軽量化や効率化に応え、HV(High Voltage)IGBTモジュールをラインアップしています。1.7kVから6.5kVの耐圧製品をラインアップし、大容量インバーター機器の高信頼性や省エネに貢献しています。主力のHシリーズに加え、高絶縁パッケージで軽量化を図ったRシリーズを更に進化させたXシリーズを新たにラインアップしています。
また、電力変換装置の出力容量に対応し、設計効率や安定供給のためパッケージ互換のある次世代大容量パワー半導体モジュールをラインアップしています。

主な用途

インバーター装置/コンバータ装置/DCチョッパ装置

Xシリーズの特長

  • <標準パッケージ>
  • CSTBT(第7世代IGBT)とRFCダイオード*1搭載
  • チップ終端領域の構造最適化*2による熱抵抗約10%低減*3
  • 電流容量をHシリーズ比で約50%増加
  • パッケージ構造を最適化し、パワーサイクル寿命を向上
  • 全耐圧クラスでの動作温度(Tj)150℃を保証*4
  • AlSiCベース板による軽量化
  • Hシリーズ、Rシリーズとの外形互換

  • *1 RFC: Relaxed Field of cathode diode
      カソード側に部分的にP層を追加、リカバリー時にホールを注入しリカバリー波形を
      ソフトにすることで急な電圧の立ち上がりを抑制できるダイオード
  • *2 LNFLR: Linearly-Narrowed Field Limiting Ring
  • *3 Rシリーズ(CM750HG-130R)比較
  • *4 6.5kV耐圧では世界初(2016年4月時当社調べ)

  • 特性グラフ
Xシリーズの特性グラフ画像

  • <LV100/HV100パッケージ>
  • CSTBT(第7世代IGBT)とRFCダイオード*1搭載
  • 内部インダクタンス低減パッケージ構造
  • 絶縁耐圧が異なる2種類のパッケージの外形寸法を共通化*2
  • 並列接続を考慮した端子配列の最適化
  • 他社製品*3と同外形寸法(端子/取り付け位置)互換

  • *1 RFC: Relaxed Field of Cathode Diode
      カソード側に部分的にP層を追加、リカバリー時にホールを注入しリカバリー波形を
      ソフトにすることで急な電圧の立ち上がりを抑制できるダイオード
  • *2 HV100/LV100タイプ
  • *3 ドイツの半導体メーカーInfineon Technologies AGの製品 XHP2/XHP3

  • 外形写真
Infineon Technologies AGの製品画像

データシート

HVIGBTモジュール/HVIPMのデータシートがご覧いただけます。


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