IGBTモジュール

概要

あらゆる産業機器のインバータ化に必須なデバイスであるIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）モジュールは、20年前の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきました。またチップ構造を平面プレーナ構造からトレンチゲート構造へ進め、CSTBT（Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor：当社独自キャリア蓄積型トレンチゲート）により、産業機器の低損失化や小型化に対応してきました。従来外形を継続するNFシリーズや高周波スイッチング用のNFHシリーズをはじめ、各種タイプのIGBTモジュールをラインアップしています。

特長〈NXシリーズ〉

主な用途

機種別一覧表〈NXシリーズ〉

Connection		H	D		T	R		M
VCES（V）		600V	600V	1200V	1200V	600V	1200V	600V	1200V
IC（A）	35								CM35MXA -24S
	50								CM50MXA -24S
	75				CM75TX -24S		CM75RX -24S	CM75MX -12A	CM75MXA -24S
	100				CM100TX -24S	CM100RX -12A	CM100RX -24S	CM100MX -12A	CM100MXA -24S
	150			CM150DX -24S	CM150TX -24S	CM150RX -12A	CM150RX -24S
	200			CM200DX -24S		CM200RX -12A
	300		CM300DX -12A	CM300DX -24S
	400		CM400DX -12A	CM450DX -24S
	600	CM600HX -12A		CM600DXL -24S
	1000			CM1000DXL -24S

Connection

データシート