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半導体・デバイス

IGBTモジュールIGBTモジュール

概要

あらゆる産業機器のインバータ化に必須なデバイスであるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュールは、1990年の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきました。 またチップ構造を平面プレーナ構造からトレンチゲート構造へ進め、CSTBT(Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor:当社独自キャリア蓄積型トレンチゲート)により、産業機器の低損失化や小型化に対応してきました。 第5世代IGBTから従来外形(stdタイプ)に加え,薄型外形(NXタイプ)では複合化製品*1をラインアップしています。Sシリーズ(第6世代IGBT)をより,低損失で小型化したTシリーズを新たにラインアップしました。
*1 インバータ,三相コンバーターとブレーキの各回路を1パッケージに内蔵

主な用途

汎用インバータ / ACサーボ / CVCF / 太陽光発電 / 風力発電 / CT / MRI / 誘導加熱応用機器


Tシリーズの特長

  • CSTBT(第7世代IGBT)とRFCダイオード*1搭載
  • 新構造(樹脂絶縁銅ベース板)*2によるサーマルサイクル寿命向上
  • 外形サイズを従来製品比で約36%縮小(CIB)*3
  • 端子の形状(半田付けとプレスフィット*4)選択が可能
  • stdタイプとNXタイプ外形の2タイプを用意
  • <オプション機能>
  • PC-TIM*5塗布

  • *1 RFC: Relaxed Field of cathode diode
      カソード側に部分的にP層を追加、リカバリー時にホールを注入しリカバリー波形を
      ソフトにすることで急な電圧の立ち上がりを抑制できるダイオード
  • *2 NXタイプ。stdタイプは厚銅セラミック銅ベース板
  • *3 Sシリーズ(1200V/75A)との比較
  • *4 プリント基板のスルーホールへの圧入時の弾性変形と復元力により接触通電する端子
  • *5 PC-TIM: Phase Change-Thermal Interface Material
      常温では固相、温度上昇に伴い軟化する高熱伝導性グリース

  • IGBTモジュール Tシリーズ(CIB) 内部回路図
IGBTモジュール Tシリーズ(CIB) 内部回路図画像

  • IGBTモジュール(CIB)の外形サイズ比較
IGBTモジュール(CIB)の外形サイズ比較

データシート

IGBTモジュールのデータシートがご覧いただけます。


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