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半導体・デバイス

IGBTモジュールIGBTモジュール

概要

あらゆる産業機器のインバータ化に必須なデバイスであるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュールは、20年前の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきました。またチップ構造を平面プレーナ構造からトレンチゲート構造へ進め、CSTBT(Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor:当社独自キャリア蓄積型トレンチゲート)により、産業機器の低損失化や小型化に対応してきました。従来外形を継続するNFシリーズや高周波スイッチング用のNFHシリーズをはじめ、各種タイプのIGBTモジュールをラインアップしています。

特長〈NXシリーズ〉

  • CSTBTチップを搭載
  • 低損失、短絡耐量アップ、ゲート容量改善
  • 1in1製品からCIB(Converter Inverter Brake)タイプをラインアップ
  • サーミスタ内蔵
  • パッケージの薄厚化(17mm)
  • RoHS指令準拠

主な用途

汎用インバータ / ACサーボ / CVCF / 太陽光発電 / 風力発電 / CT / MRI / 誘導加熱応用機器


機種別一覧表〈NXシリーズ〉

Connection H D T R M
VCES(V) 600V 600V 1200V 1200V 600V 1200V 600V 1200V
IC(A) 35               CM35MXA
-24S
50               CM50MXA
-24S
75       CM75TX
-24S
  CM75RX
-24S
CM75MX
-12A
CM75MXA
-24S
100       CM100TX
-24S
CM100RX
-12A
CM100RX
-24S
CM100MX
-12A
CM100MXA
-24S
150     CM150DX
-24S
CM150TX
-24S
CM150RX
-12A
CM150RX
-24S
   
200     CM200DX
-24S
  CM200RX
-12A
     
300   CM300DX
-12A
CM300DX
-24S
         
400   CM400DX
-12A
CM450DX
-24S
         
600 CM600HX
-12A
  CM600DXL
-24S
         
1000     CM1000DXL
-24S
         

Connection

コネクションの画像

データシート

IGBTモジュールのデータシートがご覧いただけます。


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