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半導体・デバイス

IGBTモジュールIGBTモジュール

概要

あらゆる産業機器のインバータ化に必須なデバイスであるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュールは、1990年の製品化から大電流化と高耐圧化を進めてきました。
またチップ構造を平面プレーナ構造からトレンチゲート構造へ進め、CSTBT™(キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT)により、産業機器の低損失化や小型化に対応してきました。
第5世代IGBTから従来外形のスタンダード(std)タイプに、薄型外形のNXタイプを追加し、インバーター,三相コンバーターとブレーキの各回路を1パッケージに内蔵した製品をラインアップしています。
また、Sシリーズ(第6世代IGBT)を、より低電力損失で小型化したT/T1シリーズ(第7世代IGBT)を新たにラインアップしました。

主な用途

汎用インバータ / ACサーボ / CVCF / 太陽光発電 / 風力発電 / CT / MRI / 誘導加熱応用機器


New Products
T/T1シリーズ

T/T1シリーズ
  • 三相コンバーター、インバーター、ブレーキ回路(CIB)を内蔵した製品を新たにラインアップし、産業用機器の設計簡素化に貢献
  • 外形サイズを従来製品比で約36%縮小し、産業機器の小型化に貢献(CIB)
  • CSTBT™※1構造を採用した第7世代IGBTとRFC※2構造を採用したダイオードの搭載により電力損失を低減し、産業用機器の低消費電力化に貢献
  • 新構造によりはんだ付け部分を削減し、サーマルサイクル寿命が向上することにより産業用機器の信頼性向上に貢献
  • プレスフィット端子及びPC-TIM*3採用により、産業用機器の組立て工程の簡素化を実現
  • ※1
    CSTBT™:キャリア蓄積効果を利用した当社独自のIGBT
  • ※2
    RFC: Relaxed Field of cathode
  • ※3
    PC-TIM: Phase Change-thermal Interface Material

新構造の採用による信頼性向上(サーマルサイクル寿命向上)

新構造の採用による信頼性向上(サーマルサイクル寿命向上)

プレスフィット端子対応(NXタイプ)

  • 制御端子形状を選択可能(はんだ付け端子/プレスフィット端子)
  • はんだ付け工程の削減
プレスフィット端子対応(NXタイプ) ①メイン端子 ②信号端子

Featured Products
3レベルインバーター対応パワーモジュール

3レベルインバーター対応パワーモジュール
  • 3レベルインバーターに対応し、消費電力を約30%低減※1
  • 新パッケージ※2を開発し、低インダクタンス化及びインバーター回路構成のシンプル化に貢献
  • IGBTの仕様を最適化※3し、小型で低インダクタンスな新パッケージを開発
  • 4in1※4/1in1/2in1※5をラインアップし、インバーターの小型化及び設計の自由度向上に貢献
  • ※1
    本製品を搭載した3レベルインバーターと当社従来製品を搭載した2レベルインバーターでの比較
  • ※2
    :1in1/2in1タイプは外形130mm×67mm、4in1タイプは外形115mm×82mmで端子位置を工夫した新パッケージを開発
  • ※3
    当社独自のCSTBT™(キャリア蓄電効果を利用した当社独自のIGBT)構造を採用したIGBTの仕様を3レベルインバーター向けに最適化
  • ※4
    3レベルインバーターの1アーム分を1パッケージにした4in1モジュール
  • ※5
    エミッタコモン接続とした双方向スイッチモジュール

内部回路図

内部回路図

データシート

IGBTモジュールのデータシートがご覧いただけます。


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