半導体・デバイス

パワーMOSFETモジュール

高速スイッチングと電圧駆動及び低損失が要求されるパワーデバイスにおいて、MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）は、低電流、低耐圧の領域にて実績があります。サブミクロン技術によるトレンチゲート構造を用いることで、プレーナ型に比べて格段に低オン抵抗（ドレイン・ソース間でドレイン電流が流れる領域での抵抗値）化をすすめました。