SiC SBD

JBS構造による高信頼性

pn接合とショットキー接合を組み合わせたJBS構造を採用したことにより高サージ耐量を実現しています。低損失で高信頼性のSBDによって、電源システムの低消費電力化・小型化に貢献します。

JBS : Junction Barrier Shottky

高温度動作

従来では温度が高温になると、電子が伝導帯に移動し、リーク電流が増加し、正常に動作しないことがありました。 SiCはバンドギャップ幅がシリコンの約3倍となるため、高温時でもリーク電流の増加が少なく、高温動作が可能になります。

高速スイッチング動作

SiCは高い絶縁破壊電界強度で電力損失が低減するとともに、高耐圧化が容易となるため、Siでは使用できなかったSBD（Schottky Barrier Diode）を使用することが可能になります。SBDは蓄積キャリアがないため、高速スイッチング動作が実現できます。

高い放熱効果

SiCは熱伝導率がシリコンに比べて約3倍となるため、放熱性が向上します。