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半導体・デバイス

SiC SBDSiC SBD

用途別に適したSiC-SBD

用途 製品名 形名 定格 パッケージ
電圧[V] 電流[A]
家電・産業 SiC-SBD BD20060T 600 20 TO-220-2L
BD20060S★★ TO-247-3L
BD20060A★★ TO-263S-3L
BD10120S★★ 1200 10 TO-247-3L
BD20120S★★ 20
自動車 BD20120SJ★★

★★:開発中

優れた特性を持つSiC

SiC with superior characteristics

JBS構造による高信頼性

pn接合とショットキー接合を組み合わせたJBS構造を採用したことにより高サージ耐量を実現しています。低損失で高信頼性のSBDによって、電源システムの低消費電力化・小型化に貢献します。

JBS : Junction Barrier Shottky

SiC with superior characteristics

高温度動作

従来では温度が高温になると、電子が伝導帯に移動し、リーク電流が増加し、正常に動作しないことがありました。 SiCはバンドギャップ幅がシリコンの約3倍となるため、高温時でもリーク電流の増加が少なく、高温動作が可能になります。

SiC with superior characteristics

高速スイッチング動作

SiCは高い絶縁破壊電界強度で電力損失が低減するとともに、高耐圧化が容易となるため、Siでは使用できなかったSBD(Schottky Barrier Diode)を使用することが可能になります。SBDは蓄積キャリアがないため、高速スイッチング動作が実現できます。

SiC with superior characteristics

高い放熱効果

SiCは熱伝導率がシリコンに比べて約3倍となるため、放熱性が向上します。

主な用途

エアコン、太陽光発電、充電インフラ、車載充電器などの電源システム

特長

SiC-SBD

  • 従来品に比べ電力損失を約21%低減
  • 電力損失の低減や高周波動作により、 リアクトルやヒートシンクなどの小型化が可能
  • JBS構造の採用により高サージ耐量を 実現し、高信頼性に寄与

  • 当社製のパワー半導体モジュールDIPPFC™に搭載されたSiダイオードと比較

内部ブロック図

内部ブロック図

電力損失比較

電力損失比較

  • 当社製のパワー半導体モジュールDIPPFC™に搭載されたSiダイオードと比較


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