三菱電機技報

三菱電機技報 2019年03月号
特集 「光・高周波デバイス」
[巻頭言]光・高周波デバイスが拓くオール無線時代
[巻頭論文]光・高周波デバイスの最新動向と将来展望
[特集論文]全9編

特集 「光・高周波デバイス」

巻頭言

光・高周波デバイスが拓くオール無線時代(PDF:177KB)新しいウィンドウが開きます

川西哲也

巻頭論文

光・高周波デバイスの最新動向と将来展望(PDF:859KB)新しいウィンドウが開きます

渡邉 斉

特集論文
(全9編)

第5世代移動通信基地局向け25Gbps CAN型EML(PDF:1041KB)新しいウィンドウが開きます

渡辺洋次郎/東 祐介/大谷龍輝/岡田規男

400Gbps小型集積EML-TOSA(PDF:970KB)新しいウィンドウが開きます

今井雄大/八田竜夫/森田佳道

100Gbps光通信向け半導体光増幅器集積InP位相変調器(PDF:822KB)新しいウィンドウが開きます

鈴木洋介/西川智志/林 周作/堀口裕一郎/秋山浩一

プロジェクタ用レンズ付き638nm高出力赤色半導体レーザ(PDF:978KB)新しいウィンドウが開きます

正田史生/蔵本恭介/酒井浩平/岩井裕次/柳澤隆行

次世代移動通信基地局向け超広帯域GaNドハティ増幅器(PDF:1037KB)新しいウィンドウが開きます

小松崎優治/新庄真太郎/中谷圭吾/坂田修一

衛星通信地球局用Ka帯8W GaN HEMT MMIC(PDF:746KB)新しいウィンドウが開きます

松塚隆之/金谷 康/一戸洋暁/中島宣雄/小山英寿

高熱伝導率ダイヤモンド基板を用いたGaNデバイスの熱解析(PDF:1011KB)新しいウィンドウが開きます

吉嗣晃治/松田 喬/柳生栄治

HEMTの高周波特性改善のための中空形成プロセス(PDF:901KB)新しいウィンドウが開きます

西澤弘一郎/前田和弘/角野 翼/安藤直人/久留須 整

GaAs-HEMTの高スループット生産に向けた短ゲート形成プロセス(PDF:849KB)新しいウィンドウが開きます

上野貴寛/尾上和之/相原育貴/西澤弘一郎


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