高周波・光デバイス事業では、コア・コンピタンスである化合物半導体技術を情報通信分野やセンシング分野に応用し、時代のニーズを捉えた新たな価値を創出することで、安心・安全な暮らしや、快適なデジタル社会の実現に貢献しています。近年、高解像度映像ストリーミングや生成AI 技術の利用拡大によりデータ通信量が飛躍的に増加しており、ネットワークの高速化や大容量化が従来以上に求められています。そのため、光デバイス事業では、データセンターにおける次世代の通信速度800Gbps*1や1.6Tbps*2に対応可能な光トランシーバー*3に搭載される光デバイスとして、送信用の「200Gbps EML*4チップ」の量産を2024年4月に開始しました。旺盛な需要に対応するべく EMLチップの生産能力の増強を継続しており、2029年度には2025年度比で3倍超の能力を確保する計画です。これにより、データセンター内通信の高速・大容量化に貢献します。
セミコンダクター・デバイス
半導体の「進化」と「革新」で、社会の変化を先導する
半導体・デバイス事業は、パワーデバイス事業と高周波・光デバイス事業で構成されています。
お客様の機器の低消費電力化を実現するSiC/Siパワー半導体デバイス
鉄道車両などの大型産業機器向け大容量パワー半導体「HVIGBTモジュールXBシリーズ」
パワーデバイス事業では、電力・モータ制御技術の進化を通じて性能・品質を一層向上させ、パワーエレクトロニクス機器の省エネルギー化により、脱炭素社会の実現に貢献しています。特に、鉄道車両などの大型産業機器向けのパワー半導体モジュールでは、高出力・高効率に加え、気温や湿度の変動が大きい屋外など、厳しい環境下での安定動作に不可欠な耐湿性能の向上も求められています。このたび、「HVIGBT*1モジュールXBシリーズ」において、独自のダイオードとIGBT素子を採用し、スイッチング損失を従来製品比で低減（耐電圧3.3kVタイプで約15%*2、耐電圧4.5kVタイプで約5%*3）、さらに独自のチップ終端構造の採用により、耐湿性能を向上（従来製品比で約20倍*4）させました。これらの改良により、様々な環境下で走行する鉄道車両などの大型産業機器向けインバーターのさらなる高効率化と信頼性向上に貢献し、カーボンニュートラル実現を後押しします。
- 1 High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor：高耐電圧絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
- 2 従来製品CM1500HC-66Rと新製品をEon + Eoff +Erec。Tj=150℃、VCC=1800V, IC=1500Aで比較
- 3 従来製品CM1200HC-90Rと新製品をEon + Eoff + Erec、Tj=125℃、VCC=2800V, IC=1200Aで比較
- 4 3.3kV XBシリーズと従来品H シリーズの耐結露性検証結果（終端設計は3.3kVと4.5kVで同一）
大型産業機器向け大容量パワー半導体「HVIGBTモジュールXBシリーズ (左)標準絶縁品、(右)高絶縁品
関連リンク
データセンター内通信の高速大容量化に貢献する光通信用デバイス
次世代データセンター向け200Gbps EMLチップ
次世代データセンター向け「200Gbps EMLチップ」
- 1 Giga-bits per second : 1秒間に10億個のデジタル符号を伝送する通信速度
- 2 Tera-bits per second : 1秒間に1兆個のデジタル符号を伝送する通信速度
- 3 電気信号と光信号を相互に変換する電子部品
- 4 Electro-absorption Modulator integrated Laser diode : 電界吸収型光変調器を集積した半導体レーザーダイオード
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